多芯片模块制作工艺.pdfVIP

Equipment ■工艺与设备lProcessing 曾毅／西南科技大学 多芯片模块制作工艺 芯片模块(MCM)I艉将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封 多装。根据基板材料可分为McM—L，MCM—C和MCM—D三大类。 McM—L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印制基板的组件，布线密度不怎么高， 成本较低。McM—C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷) 作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合Ic类似，两者无明显差刖，布 线密度高于McM—L。MCM—D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝 或氮化铝)或si、Al作为基板的组件，布线密度在三种组件中是最高的，但成本 也高。详细地介绍了对多芯片组装工艺的一些经验。 1引言 复布置多层互连线。由于导体和电介质膜层的厚 多芯片模块(MCM)技术的突破，将对电子学度很小，几乎可以忽略它们的高度。“导体一电介 系统的小型化、一体化产生重要的促进作用。多 质一导体”多层结构解决了大量交叉的设计制作 芯片组装技术(MultiModule，MCM)是国际问题，各导体层之间必须的连接也依靠薄厚膜技 Chip 上最新的第五代组装技术。随着集成规模的提高， 术制作的穿通扎得到了互连。 一个集成电路中包含的元器件和单元电路数量大 从材料角度看，MCM是由基板、导体、介质 为增加，因此电路互连导体的布线密度增大而且 组成的。介质材料的性能对MCM有直接影响。 错综复杂。对于薄厚膜混合集成电路而言，以小、 MCM对介质材料的-般要求是： 中甚至火规模半导体集成电路作为外贴组装器件 (1)绝缘性能好，介电常数和介质损耗系数小。 的“二次”混合集成方式的发展，使上述情况表现 (2)热导率高，耐热性好，热膨胀系数低。 得更为突出。薄厚膜细线工艺有可能使同一基片 (3)力学性能好，即伸长率高、杨氏模量低。 平面上的布线密度增大，但伴随而来的是设计、制 (4)结构致密、不吸潮或抗湿性好、不起泡、不 作大量绝缘交叉的困难。为此，由多层印制电路 裂变。 板结构的启发，在簿厚膜细线工艺和薄厚膜电容 (5)容易加工、表面平整、黏着性强。 器工艺的基础上，发艘了多层布线技术。 2 1MCM用的介质材料 2．1．IMCM—L用的介质材料 2布线板制造技术 目前，MCM用的介质材料主要是以环氧树 薄厚膜多层布线，是利用细线工艺增大同一 脂、聚酰亚胺为代表的有机材料和以SiO。为代 平面长宽方向的布线密度，并且在基片表面以上 表的无机材料。从介电常数、布线密度、加工难