反应离子刻蚀加工工艺技术的研究 study of reaction ion etching processing technique.pdfVIP

技术毒社 n■哪嘲咖■■ 反应离子刻蚀加工工艺技术的研究 来五星，廖广兰，史铁林，杨叔子 (华中科技大学机械学院机电系，武汉430074) um，无 摘要：反应离子刻蚀(RIE)选择性比较低，只能进行各向异性刻蚀，刻蚀特征尺寸小于3 危险化学试剂，但有危险气体和射频功率等安全风险。介绍了反应离子刻蚀技术的基本原理，探讨了聚酰 亚胺、氮化硅、二氧化硅、铝和多晶硅薄膜材料刻蚀的工艺处方，研究了RIE草地现象形成机理，给出 了避免草地现象的工艺措施。 关键词：微机电系统；工艺：反应离子刻蚀 中图分类号：TN305．7文献标识码：A ofReactionIon ProcessingTechnique Study Etching LAI SHITie-lin，YANGShu—z