五重轴硅团簇的量子受限.pdf

第 卷第 期 原 子 与 分 子 物 理 学 报 ， 18 3 Vol . 18 . 3 1 年 月 ， l . 1 文章编号： （ ） 13 1 3 五重轴硅团簇的量子受限* 段 沛 （湖南师范大学物理系，长沙11 ） 摘要：用自洽场多重散射 方法计算了具有五重对称轴的硅团簇的电子能级，并在这种硅团簇表面分别与 α 氢、氧原子稳定结合情况下，得到了 键和 键的长度、能隙宽度和偶极跃迁激发能。计算结果表 明，这种硅团簇表面结合原子是影响团簇电子能级、能隙和跃迁激发能的重要因素。 关键词：硅团族；五重对称轴；多重散射 方法；量子受限 α 中图分类号： ， 文献标识码： 1. 13 1 引言 稳定态时，偶极跃迁的激发能。由于量子尺寸效应 这种模型的计算数据，虽然与五重轴纳米硅的实际 近年来，多孔硅膜和纳米硅中可见光致发光的 值存在差距，但可为这种材料的发光性质的研究提 ［，］ 1 发现 ，显示了发展一类新型光器件的潜在势头， 供一种定性理论依据。 ［ ］ 因而引起了广泛的关注和研究3 。但目前对纳米 硅中的这种光致发光兰移现象机理的认识，尚不完 ［，］ 计算模型及有关参量 全一致，许多研究者认为 1 3 ，这主要是纳米硅的量 子受限效应所致。当大块晶体硅减小到纳米尺寸 本文以五角十面双锥体作为五重轴硅团簇的基 时，原有的平移对称性消失，准连续能带变为分立能 级，能隙加宽，由原来的间接能隙跃迁转变为直接能 ［，］ 隙跃迁。 ll 等人 用密度泛函理论计算了多 ［］ 孔硅膜的带隙与纳米尺寸的关系。但 o 等人 认为其中近表面电子态可能起了主要作用。 ［］ 与多孔硅膜等的制备方法不同， 8 o 用硅蒸汽凝结方法制得了尺寸小于 的纳米 硅。他在部分这种硅微粒的高分辨电镜的晶格象 ［］ 中，清晰观察到五重对称轴 。在约 的核心区 内，晶格具有直到 1 的弹性应变，以填补由五个 硅四面体堆成时产生的约 . 的失配角。这种具有 五重对称轴的纳米硅，除具有结晶学理论研究意义 外，也可能同其他纳米硅一样成为微型光器件的新 材料。本文以五重轴硅团簇作为这种纳米硅的初级 本计算模型，它是由五个硅四面体共同一棱构成。 模型，用自洽场多重散射 方法（ ）计算