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存储器技术-相变存储器驱动电路的设计与实现
集成电路设计与开发
Design and Development of IC
相变存储器驱动电路的设计与实现
沈菊 , 宋志棠 , 刘波 , 封松林
( 中国科学院 上海微系统与信息技术研究所 纳米存储技术联合实验室 , 上海 200050)
摘要 : 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理 , 设计了一种依靠电流驱动的驱动电
路 , 整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于
( )
16 Kb 以及1 Mb容量的相变存储器芯片的设计 , 并采用中芯国际集成电路制造 上海 有限公司的
018 μ标准 CMOS 工艺实现。该驱动电路通过 Hspice 仿真 , 表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高
m
的精度 , 取得了良好的仿真结果 , 在16 Kb相变存储器芯片测试中, 进一步验证了以上仿真结果。
关键词 : 相变存储器 ; 电流驱动 ; 基准电压 ; 偏置电流 ; 电流镜 ; 互补金属氧化物半导体
中图分类号 : TN432 ; TN86 文献标识码 : A 文章编号 : 1003353X (2008)
Design and Realization of Driving Circuit for PhaseChange RAM Chip
Shen Ju , Song Zhitang , Liu Bo , Feng Songlin
(L aboratory of N anotechnclogy , S hanghai Institute of Microsystem and Inf ormation Technology , Chinese Academy of Sciences ,
S hanghai 200050 , China)
Abstract : The basic principle of a novel driving circuit of phasechange RAM chip was described , and
a driving circuit by current driving was designed . The driving circuit consists of voltage reference , current
bias , current mirror andcontrol logic circuit . It was integrated with both 16 Kb and 1 Mb phasechange RAM
chip using the standard 018 μ CMOS process of SMIC. Hspice simulation shows that the driving circuit has
m
a high precision , both for the voltage reference and current bias circuit . The chip was tested and the
simulation result was demonstrated .
Key words : ph
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