器件与模型的.ppt

Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 期末复习 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第一章 绪论 什么是微电子学，什么是集成电路？集成电路的分类 集成电路的战略地位 集成电路的发展历史 集成电路的发展规律(摩尔定律） 集成电路未来发展和挑战 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第2章 制作工艺 图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 制膜：制作各种材料的薄膜 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 集成电路工艺 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 制膜： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 集成电路的制作流程 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第3章 器件与模型 一、MOS晶体管 MOS晶体管结构和基本原理 MOS中二级效应 MOS晶体管的模型参数 MOS晶体管的电阻和电容—— MOS管的动态特性 二、集成电阻器 三、集成电容器 四、集成电感器 五、集成电路中的互连线 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 8 电阻工作区 Cox：栅氧的单位面积电容 tox：氧化层厚度 Vn(x):载流子的漂移速度 Ｗ：沟道宽度 Ｕn:迁移率的参数 在沟道全长Ｌ上积分得到电压—电流关系 增益因子 当VDS的值较小时，VDS和ID成线性关系，称电阻区或线性区 电流为载流子的漂移速度和所存在电荷的乘积 工艺跨导 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 饱和区 夹断 ID与VGS间存在平方关系，相当于一个理想电流源，与VDS无关 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOSFET的电流与电压的关系（长沟道） 线性区： 工艺跨导参数 饱和区 沟长调制 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第3章 器件与模型 一、MOS晶体管 MOS晶体管结构和基本原理 MOS中二级效应 MOS晶体管的模型参数 MOS晶体管的电阻和电容—— MOS管的动态特性 二、集成电阻器 三、集成电容器 四、集成电感器 五、集成电路中的互连线 E