硅和砷化镓背场太阳能电池的理论和实验分析.pdf

维普资讯 ④ 硅和砷化镓 背场太 阳能 电池 的理论和 实验分析 — — 评 《硅与砷化镓 背场 太阳能 电池对 比研 究》 陈庭金 王书蒙 谢 建 ’ ’ — — — ～ 一 — — — — 一 (云南师范大学太阳能研充所，昆明650092) T 』．／ 摘 要 讨论 了硅与砷化掉背场太阳能电池中背面高低蛄的光佚效应和工作原理，并针对 硅 与砷 化悼背_I寿太舟 拈 电池对 比研究》一文 中关于太 阳能 电池背_I寿的柞用和工柞机理研究提 出 了商榷意见 。 关键词 壁丛 生量整， 阳能电池 背场 1．1 n ／p—P 太阳能 电池的能带鲒构 0 引 盲 光照下，n ／p—P 结构太 阳能 电池的能 半导体 n ／p结太阳能电池的研制 中， 带示意于图 1。图中， 为入射光；丘，Ef和 若在背表面处引入一个 p／p高低结 (亦称背 E，分别为导带底、费米能级和价带顶f +， 场)．且整个 电池的几何结构设计能充分发挥 和 一分别为n ／p结和高低结 P／P 的接 光生伏特效应的作用和满足太阳能电池的工 触 电势差 由半导体理论知道 ，对于非简并半 作原理时，则背面高低结能提高n ／p结的 导体，有 ： 收集效率-提高电池的开路 电压 y ，降低 电 = 等tn (1) 池的反 向饱和暗电流和背表面复合速度 以及 制作怠好的背面欧姆接触。因此 ，当今的半导 Vpp+=~In 体太阳能电池研制和生产中-几乎毫不例外 都引入背场结构。当然，若太阳能电池的几何 结构设计不合理 ，甚至不能发挥光生伏特效 ( n+ 应 的作用和满足太阳能电池的工作原理时， 则背场不能同时发挥上述诸方面的有益作 用，只能起到部分有益作用，或只起到改善背 面欧姆接触的作用。本文将对这些问题进行 圉 1 ／p-p结构太阳能电池光照下的能带示意图 论述 。并对 《硅与砷化镓背场太阳能电池对 比 - ： ~,T--… 空亢．g：电于 电荷 ． 研究》(以下简称 对 比研究 ，载 《新能源 》 太阳能电池的总内建 电势差为： 1997年 19卷 12期)提出一些不同意见。 yD一 ．+y = 1n (3) 1 太阳能电池背场理论 式中：为玻尔兹曼常数，Ⅳ吉和 分别为 下面主要 以硅 (或砷化镓)n ／p结、在背 12型和P型硅的重掺杂浓度，Ⅳ 为轻掺