存储器原理与接口的.ppt

第五章 存储器原理与接口;5.1 存储器分类 一、有关存储器几种分类 存储介质分类 半导体存储器 磁盘和磁带等磁表面存储器 光电存储器 ; 按存取方式分类 随机存储器RAM (Random Access Memory) 只读存储器ROM（Read-Only Memory） 串行访问存储器(Serial Access Storage); 按在计算机中的作用分类 主存储器(内存) 辅助存储器(外存) 高速缓冲存储器 ;二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM 2、只读存储器ROM ;二、半导体存储器的分类 1、随机存取存储器RAM a. 静态RAM （ECL，TTL，MOS） b. 动态RAM ; 2、只读存储器ROM a. 掩膜式ROM b. 可编程的PROM c. 可用紫外线擦除、可编程的EPROM d. 可用电擦除、可编程的E2PROM等 ;绝缘层;编程 使栅极带电 擦除 EPROM芯片上方有一个石英玻璃窗口 当一定光强的紫外线透过窗口照射时，所有存储电路中浮栅上的电荷会形成光电流泄放掉，使浮栅恢复初态。 一般照射20～30分钟后，读出各单元的内容均为FFH，说明EPROM中内容已被擦除。; 浮栅隧道氧化层MOS管Flotox(Floating gate Tunnel Oxide)：浮栅与漏区间的氧化物层极薄（20纳米以下），称为隧道区。当隧道区电场大于107V/cm时隧道区双向导通。;分 类;三、 多层存储结构概念 1、核心是解决容量、速度、价格间的矛盾，建立起多层存储结构。 一个金字塔结构的多层存储体系 充分体现出容量和速度关系;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2、 多层存储结构 寄存器 Cache(高速缓存) 内存 磁盘 磁道、光盘; Cache—主存层次 ： 解决CPU与主存的速度上的差距 ； 主存—辅存层次 ： 解决存储的大容量要求和低成本之间的矛盾 。;5.2、 主存储器结构 一、 主存储器的主要技术指标 存储容量 存取速度 可靠性 功耗 ; 1、容量存储容量 存储器可以容纳的二进制信息量称为存储容量（寻址空间，由CPU的地址线决定） 实际存储容量：在计算机系统中具体配置了多少内存。 ;2、存取速度 存取时间是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间，又称为读写周期。 SDRAM: 12ns 10ns 8ns RDRAM: 1ns 0.625ns; 3、可靠性 可靠性是用平均故障间隔时间来衡量（MTBF, Mean Time Between Failures） 4、功耗 功耗通常是指每个存储元消耗功率的大小 ; 二、主存储器的基本组成 MOS型器件构成的RAM，分为静态和动态RAM两种，静态RAM通常有6管构成的触发器作为基本存储电路静态存储单元，动态RAM通常用单管组成基本存储电路。 ;1 、静态存储单元 ; ;（2）动态存储单元 ;（3）、结构 地址译码 输入输出控制 存储体 ;地址线; 地址译码器：接收来自CPU的n位地址，经译码后产生2n个地址选择信号，实现对片内存储单元的选址。 控制逻辑电路：接收片选信号CS及来自CPU的读/写控制信号，形成芯片内部控制信号，控制数据的读出和写入(双向)。 存储体：是存储芯片的主体，由基本存储元按照一定的排列规律构成。;译码器;;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;一、8086CPU的管脚及功能 8086是16位CPU。它采用高性能的N—沟道，耗尽型负载的硅栅工艺(HMOS)制造。由于受当时制造工艺的限制，部分管脚采用了分时复用的方式，构成了40条管脚的双列直插式封装 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Cop