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间接带隙纳米半导体材料的量子限制理论
西 北 民族学 院 学报 自然科 学版 ,
叭硬万
间接带 隙纳米半导体材料 的量子 限制理论
薛 华
西北 民族学 院物理 系, 兰 州
了 子 的量 子 , 明 了 质 的转
摘 要 研究 间接带 隙材料量 点 限制 理论 阐 间接带 隙到直 接带 隙光跃迁 性 变
机理 , 计算 了激子跃迁 能和激 子结合能, 这些理论结果提示 了在纳米 、 发光过程 中 的量 子 限制效应 的重
要性 。
关键词 量子点 激子 量子 限制 效应
在体 晶间接带 隙材料 中, 电子 一 空穴对 复 空穴体系 的量子化 问题 。 对量子线体系 , 其 电
,
只 子 吸 进 , 是 子理论 的研 已有 多报导 而对量子 点 中的
合 有通过声 发射或 收才能 行 这 为 究 许
了补偿波矢在 导带底和 价带顶 的差 别。 但 当 电子 理 论 模 型 研 究 最 近 才 开 始 有 一 些 报
,
。
晶粒子尺寸小到纳米量 子 点尺寸 时, 它 的 电子 导 〕
理论会是 如何 的呢 本 文 主 要 讨论量 子 点体
间接带隙半导体纳米材料 的量子 限制效应
系 电子理论 ,
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