原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
晶体管工作原理的
2.1 晶体管;晶体管图片;Evaluation only.
Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0.
Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;2.1.1 晶体管的结构;N;NPN型晶体管符号;2. PNP型晶体管结构示意图和符号;;(2) 集电区面积大。;2.1.2 晶体管的工作原理（以NPN型管为例）;1．发射结正向偏置、集电结反向偏置——放大状态 ; (1) 电流关系;b. 基区向发射区扩散空穴;因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度，空穴电流可忽略不记。;c. 基区电子的扩散和复合;非平衡少子到达集电区;少子漂移形成反向饱和电流ICBO;晶体管的电流分配关系动画演示;发射结回路为输入回路，集电结回路为输出回路。;定义;各电极电流之间的关系;晶体管共射极接法;定义;各电极电流之间的关系;或; 如果 △UBE 0，那么△IB 0， △IC 0 ，△IE 0 ;为共基极交流电流放大系数 ;uBE = ube + UBE;a. 在RC两端有一个较大的交流分量可供输出。;2．发射??正向偏置、集电结正向偏置——饱和状态 ;(5) UCE对IC的影响大，
当UCE增大，IC将随之增加。;(2) IC=ICBO;4．发射结反向偏置、集电结正向偏置——倒置状态;2.1.3 晶体管共射极接法的伏安特性曲线 ;(1) 输入特性是非线性的，
有死区。 ;2．共射极输出特性 ;各区的特点;(3) 截止区;NPN管与PNP管的区别;硅管与锗管的主要区别;2.1.4 晶体管的主要电参数;2. 交流参数 ;3. 极限参数;不安全区;2.1.5 温度对管子参数的影响 ;思 考 题
文档评论（0）