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晶体管模型和模型参数 西安电子科技大学 微电子学院 贾新章 xzjia@xidian.edu.cn 2012年12月 概 述 1．Model and Model Parameter （模型和模型参数） 采用电路模拟软件进行电路模拟时，实际上是以等效电路代替有源器 件，然后建立回路方程、计算求解。 (1) Model：采用的等效电路就是代表元器件的“模型”； “等效”指端特性等效。 (2) Model Parameter：等效电路中描述元件值的参数就是“模型参数” 。 2 ．模型和模型参数的作用 (1) 决定电路是否可以用电路模拟软件模拟； (2) 决定模拟结果的好坏（模型精度、模型参数值与实际器件特性的符合 程度）。 3. 目前研究的问题 (1) 提高模型精度。 (2) 建立新器件的模型：例如需要添加新出现的化合物半导体器件模型。 (3) 提高模型参数提取精度（如结合Model Editor、优化模块、DOE技术） 二极管模型和模型参数 二极管模型和模型参数 等效电路中包括四个元件 （1）ID ：描述流过结I-V特性的电流源 （2 ）CD ：扩散电容 （3 ）C ：势垒结电容 J （4 ）RS ：串联电阻 考虑串联电阻，结电压为：Va=Vapp-ID ×RS 二极管模型和模型参数 一、电流源ID表达式和模型参数 1．不同情况下的二极管电流基本表达式(复习) （1）理想模型： I =I [exp(qVa/kT)-1] D S （2 ）考虑到势垒区的产生和复合效应，ID应该“叠加”下 述表式： ISR [exp(qVa/2kT)-1] （3 ）考虑大注入效应，特大电流时，ID从理想模型表达 式“转化”为下述表达式： I I exp(qVa/2kT) kF S （4 ）考虑到击穿区的倍增效应，反向电流还应“叠加”下述 表达式： -IBV exp [-q (Va+BV)/kT] 说明：该表达式类比二极管正向电流表达式的形式。 其中反向电流为IBV时的结电压定义为二极管的击 穿电压BV 。 二极管模型和模型参数 一、电流源ID表达式和模型参数 1．不同情况下的二极管电流基本表达式(复习) 2 ．PSpice 中“构造”的二极管ID统一表达式 二极管模型和模型参数 (4) 扩散电容 C ＝TT(dI /dV ) ＝TT*Gd T fwd A 新增一个模型参数. TT：渡越时间(Transit time) 二极管模型和模型参数 (5) 大注入效应的表征 大电流下，由于大注入效应，使结电流随结电压的增加变慢， 从exp(qV /NkT) 关系逐步变为exp(qV /2NkT) 。为此，只需将电流 A A 表达式作下述修正，等效电路无需变化： I =IS[exp(qV /Nkt)-1] /[1+(IS/IKF)exp(qV /2NkT)] D A A 即考虑大注入效应，新增一个模型参数 IKF：膝点电流(“knee” current)，默认值为无穷大。 一般注入下，IKF远大于ISexp(qVA/NkT-1) ，则 I =I