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§1.3 半导体三极管;1.结构、符号和型号：由两个PN结、三根导线和一个外壳组成。符号 中箭头的方向表示发射结正向偏置时的电流方向。三极管三个区域， 其作用不同，因而在制作时 每个区的掺杂浓度及面积均 不相同。基区很薄，掺杂浓 度低，多子浓度很低；发射 区掺杂浓度高，多子浓度也 很高；集电结面积大于发射 结面积，但多子浓度低于发 射区。这是三极管的内部结 构特点，也是三极管具有电 流放大作用的内部条件。;§1.3 半导体三极管;2.三极管的放大作用 三极管要实现放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。 对于NPN型管，从电位的角度来看，三个电极间的电位关系 UC﹥UB﹥UE；而PNP型管，极性正好相反，即UE﹥UB﹥UC。 3.三极管各极电流的形成和放大原理 给三极管加上合适的电源后，在三极管 三个电极上便产生三种不同的电流：发 射极电流IE由发射区多子的扩散运动形 成；基极电流IB由复合运动而形成；集 电极电流IC由漂移运动而形成。 IE、IB、IC的关系：IE=IB+IC。;(1)发射区向基区扩散载流子 由于发射结处于正偏，发射区的多子（自由电子）不断扩散到基 区，形成发射结扩散电流IEN， 其电流方向与扩散方向相反； 基区中的多子空穴也要扩散 到发射区，形成空穴电流IEP， 电流方向与IEN相同,由于基 区浓度远小于发射区，IEP很 小。同时扩散出去电子又不 断从电源补充，形成发射极 电流IE。可得：IE＝IEN+ IEP+IBN;(2)载流子在基区扩散和复合 由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极 扩散过来的电子只有很少部分 可以和基区的空穴复合，形成 较小的基极复合电流IBN，而剩 下的绝大部分电子都能扩散到 集电结边缘。基区被复合掉的 空穴由电源UBB从基区拉走电子 来补充，形成基极电流IB。 ;(3)集电区收集从发射区扩散过来的电子 由于集电结反偏，强大的 内电场可将从发射区扩散 到基区并到达集电区边缘 的电子拉入集电区，从而 形成集电极电流中受发射 结控制的电流ICN。显然, ICN =IEN-IBN ;(4)放大的实质 ;由上述分析可知，构成发射极电流IEN的两部分中，IBN是很小的， 而ICN所占的百分比是大的。将ICN 与IBN 之比用 表示，称为共发 射极直流电流放大系数。将集电极电流的变化量 与基极电流的变化 量 之比称为三极管的共发射极交流 电流放大系数 。即 ;§1.3 半导体三极管;§1.3 半导体三极管;一般β值较大，当基极电流有一微小变化时（ΔIB），就会引起 集电极电流有较大的变化（ΔIC），这就是三极管具有放大作用 的实质——通过改变较小的基极电流，达到控制较大集电极电流 的目的（能量控制）。注意：这个较大的集电极电流是由直流电 源提供的，并不是晶体管本身把一个小的电流放大成了一个大的 电流，这一点用能量守恒的观点分析是很清楚的。由于三极管有 两种载流子参与导电，故又叫双极型三极管。所以双极型三极管 是一种电流控制元件，具有电流控制作用。;3.三极管的伏安特性 三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线，称 为伏安特性曲线。它能直观全面的反映晶体管的性能，是分析放 大电路的依据。下面以NPN型管为例，讨论下常用的共射极接法时 的特性曲线。 (1)三极管的输入特性曲线 三极管的输入特性是指当集－射 极电压为常数时，基极电流与基 －射极电压之间的关系曲线。即 ;①当uCE＝0时：从输入端看进去, 相当于两个ＰＮ结并联且正向 偏置, 此时的特性曲线类似于二极管的正向伏安特性曲线。  ②当uCE≥1Ｖ时：UCE≥1时,集 电极上有了电压，大量的电子 都漂移过去了，同样的UBE下， 相应的IB电流减小了，所以， uCE≥1V时的曲线比uCE＝0V时 的曲线右移了。;2.三极管的输出特性曲线 输出特性曲线是指当iB一定时, 输出回路中的iC与uCE之间的关系 曲线, 用函数式可表示为 从输出特性曲线上看，三 极管有三种工作状态：饱 和状态、放大状态、截止 状态。 ;(1)饱和状态：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时发射结和 集电结均处于正向偏置，三极管的集电极C和发射极E之间相当于 短路，类似于开关闭合。 条件：集电结正偏，发射结正偏。特征：UCE≤0.3V (2)截止状态 iB=0曲线以下的区域称为截止区。此时发射结和集电结均处于反 向偏置，三极管失去电流放大作用，集电极C和发射极E之间相当 于开路状态，类似于开关断开。 条件：集电结反偏，发射结反偏。特征：iB=0 三极管截止时，相当于开关断开；导通时，相当于开关闭合，这 就是三极管的开关作用。;(3)放大状态：输出特性曲线的近于水平部分的是放大区。三级管 要工作在放大区，发射