电路基础与集成电子的技术-5.4 晶体管的小信号模型.pptVIP

5.4 晶体管的小信号模型 5.4.1 场效应晶体管低频小信号模型 5.4.2 双极型晶体管低频小信号模型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4.1 场效应晶体管低频小信号模型 5.4.1.1 低频模型的建立 为了克服图解法进行动态分析时的不足，希望用一个线性模型来代替晶体管。在小信号条件下，晶体管仅工作在曲线的一小段，非线性的曲线可以用一小段一小段直线来逼近，这样就可以把非线性的晶体管用一个线性模型来代替。 图5.4.1 场效应管低频小信号模型 开路 VCCS 晶体管微变等效电路与线性模型是同一问题的不同称谓。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 图示场效应管简化的微变等效电路如，这个模型也仅适用低频和中频频段。 模型中的漏极输出电阻rds是由于漏极输出特性曲线上翘所致，随着USD的增加，受控源的电流是固定的，而rds中的电流有所增加， 所以随着USD增大， ID增大，曲线上翘。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4.1.2 模型中的主要参数 模型中的主要参数是跨导gm，跨导可以查手册，通过转移特性曲线或漏极输出特性曲线求解，也可以通过转移特性曲线方程式求导得到。 在转移特性曲线上求低频跨导gm ，单位是mS(毫西门子)。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 耗尽型场效应管的转移特性曲线方程式为 跨导为 增强型场效应管的转移特性曲线方程式为 跨导为 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 5.4.2.1 低频模型的建立 5.4.2 双极型晶体管低频小信号模型 双极型晶体管的微变等效电路的推导可以从晶体管的特性曲线得出，从输入特性曲线可以模拟出输入侧的模型；从输出特性曲线可以模拟出输出侧的等效电路模型。 晶体管的输入回路可以用输入特性曲线上工作点Q 附近的动态输入电阻 rbe 来模拟。 1. 从输入特性曲线模拟 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 晶体管的输出特性曲线近似一个电流源，属于电流控制电流源（CCCS)，所以，晶体管的输出回路可以用近似的电流源 来模拟。 2. 从输出特性曲线模拟 由于双极型晶体管的输出特性曲线比场效应管的输出特性曲线更平直，电阻rce很大，在简化模型中给予忽略。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 将输入和输出回路的模型合在一起，即构成了晶体管的简化模型。 图5.4.3 双极型晶体管的简化模型 请注意，图5.4.3中rbe和? 也称为h参数，它们是一种小信号参数。h参数的大小与工作点有关，所以 h 参数只适合对交流小信号的分析。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1. 通过晶体管输入特性曲线求解rbe