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第10章 氧化的
第10章 氧化;大纲;1.引言;2.氧化膜;氧化膜的性质;氧化膜的性质;氧化膜的用途;器件保护和隔离;表面钝化;表面钝化 (续);栅氧电介质;掺杂阻挡;扩散系数;金属层间的介质层;氧化硅的应用-1;氧化硅的应用-2;3.热氧化生长;氧化的化学反应;湿法氧化;两种方法的比较;氧化生长模式;氧化生长模式;扩散;SiO2-Si界面;;氯化物在氧化中的应用;氧化物生长速率;氧化物生长速率;影响氧化物生长的因素;掺杂效应;晶向;压力效应;等离子增强;选择性氧化/局部氧化(LOCOS);鸟嘴效应Bird’s Beak Effect;浅槽隔离(STI);二氧化硅的应力;氧化诱生堆垛层错;4.生长设备;卧式炉;立式炉;立式炉的主要控制系统;快速升温立式炉;卧式炉和立式炉系统性能的比较(1);卧式炉和立式炉系统性能的比较(2);快速热处理(RTP);RTP的主要优点;传统立式炉和RTP间的对比;RTP的热源;RTP的温度控制;RTP应用;5.氧化工艺;氧化前的清洗;清洗液和??备;氧化工艺菜单;干法氧化工艺菜单;6.质量测量;氧化物厚度;栅氧化物完整性(GOI);氧化膜内的颗粒;氧化膜下的颗粒;7.氧化检查及故障排除;进入炉体的错误气流;立式炉工艺腔内错误的温度均匀性;RTP内不恰当的温度均匀性;小结-1;小结-2;作业;谢谢!
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