干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较.pdf

第 1 9 卷　第 3 期 发　光　学　报 V o l . 1 9 , N o . 3 1 9 9 8 年9 月　　 CH IN ESE　JOU RNAL 　O F　LUM IN ESCEN CE 　　 Sep t. , 1 9 9 8 干法刻蚀和湿法刻蚀制备硅微尖的比较 王维彪　金长春　赵海峰 王永珍　殷秀华　范希武 ( 中国科学院长春物理研究所, 长春　130021) 梁静秋　姚劲松 ( 中国科学院长春光学精密机械研究所, 长春　130022) 摘要　　主要研究了用干法刻蚀和各向同性湿法刻蚀的方法在〈100〉晶面和〈111〉晶面的单 晶硅衬底上制备硅微尖. 结果表明干法刻蚀和〈111〉晶面的硅衬底各向同性湿法腐蚀容易制 备出顶端曲率半径比较小的硅微尖, 通过实验, 最后得到曲率半径10～ 20nm 的硅微尖. 关键词　硅微尖, 冷阴极, 干法刻蚀, 湿法刻蚀 1　引　　言 硅微尖场发射阵列是真空微电子器件的重要电子源, 在 FED 及微电子器件中有着 广泛的应用前景. 由于它和微电子集成工艺兼容, 硅工艺成熟, 从而得到人们的重视. [ 1 ] 自从 . . 制备出硅微尖阵列 , 现已发展了多种方法制备硅微尖阵列, 比较典型 H F Gray 的有干法刻蚀和湿法刻蚀. 我们研究了干法刻蚀和湿法刻蚀两种方法对硅微尖的形成及 顶端曲率半径的影响, 以及用不同直径的图形刻蚀硅微尖时的形状及对硅微尖的纵横比 ( ) 的影响. aspect ratio 2　硅微尖的制备过程 实验选用单面抛光〈111〉和〈100〉晶向的单晶硅衬底, 电阻率分别为13 和10 cm cm. 衬底经过氧化、光刻腐蚀后进行干法刻蚀和湿法刻蚀. 干法刻蚀: 采用的设备为磁 控反应离子刻蚀机. 所用的气体为 SF6 和O 2 气的混合气体, 压强为: 13Pa , 功率为: 100 , 频率为: 13. 56 . 湿法刻蚀: 采用的腐蚀剂为 = 1. 5 155 的 W M H z H F HNO 3 H 2O 混合液. 将样品放入溶液中进行刻蚀, 时间根据需要确定. 刻蚀出的微尖样品用扫描电 镜(SEM ) 进行观察. 3　结果和讨论 制备硅微尖的毛坯形状对硅微尖的质量有很大的关系, 只有凹面的原坯才可以制备 出顶端曲率半径比较小的硅微尖. 对于干法刻蚀来说, 制备具有凹面的硅尖原坯, 晶面 的选择对原坯的形状影响不大. 对于湿法刻蚀, 晶面的选择对原坯的形状影响很大. 为 了用湿法刻蚀制备具有凹面的硅尖原坯, 我们选择了〈111〉面单晶硅衬底制备硅微尖. 1) 干法刻蚀制备硅微尖所用〈100〉晶向的单晶硅作衬底, 其工艺过程如下图1所示. 干法刻蚀的腐蚀机理比较复杂, 它既有化学反