高栅压低漏压条件下FG-pLEDMOS的热载流子退化机理-东南大学学报.PDF

第４２卷第１期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４２ Ｎｏ．１ 　 ２０１２年１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊａｎ．２０１２ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１２．０１．００５ 高栅压低漏压条件下ＦＧｐＬＥＤＭＯＳ的 热载流子退化机理 万维俊　刘斯扬　孙　虎　孙伟锋 （东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京２１００９６） 摘要：针对ＦＧｐＬＥＤＭＯＳ施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化， 而阈值电压基本保持不变，使用ＴＣＡＤ软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析． 结果表明：沟道区的热空穴注入到栅氧化层，热空穴并没有被栅氧化层俘获，而是产生了界面态； 栅氧化层电荷没有变化，使阈值电压基本不变，而界面态的增加导致线性区漏电流发生退化．电 场和碰撞电离率是热空穴产生的主要原因，较长的ｐ型缓冲区可以改善沟道区的电场分布，降低 碰撞电离率，从而有效地减弱热载流子退化效应． 关键词：ＦＧｐＬＥＤＭＯＳ；热载流子；电荷泵；ｐ型缓冲区 中图分类号：ＴＮ３８６　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１２）０１００２５０４ ＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｈｏｔｃａｒｒｉｅｒｉｎｄｕｃｅｄｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｉｎＦＧｐＬＥＤＭＯＳ ｕｎｄｅｒｈｉｇｈｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅｌｏｗｄｒａｉｎｖｏｌｔａｇｅｓｔｒｅｓｓ ＷａｎＷｅｉｊｕｎ　ＬｉｕＳｉｙａｎｇ　ＳｕｎＨｕ　ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ （ＮａｔｉｏｎａｌＡＳＩＣＳｙｓｔｅｍＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｎｏｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅｃｈａｎｇｅｂｕｔｌｉｎｅａｒｒｅｇｉｏｎｄｒａｉｎｃｕｒｒｅｎｔｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎａｒｅｏｂｓｅｒｖｅｄｉｎ ＦＧｐＬＥＤＭＯＳ（ｐｔｙｐｅｌａｔｅｒａｌｅｘｔｅｎｄｅｄｄｒａｉｎＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ）ｓｔｒｅｓｓｅｄｕｎｄｅｒｈｉｇｈｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅｌｏｗ ｄｒａｉｎｖｏｌｔａｇｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎ．ＮｕｍｅｒｉｃａｌｄｅｖｉｃｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓｂｙＴＣＡＤ（ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｃｏｍｐｕｔｅｒａｉｄｅｄｄｅｓｉｇｎ） ａｎｄｃｈａｒｇｅｐｕｍｐｉｎｇｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓａｒｅｕｓｅｄｔｏｒｅｖｅａｌｔｈｅｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍ．Ｉｔｉｓｓｈｏｗｅｄｔｈａｔ ｉｎｔｅｒｆａｃｅｔｒａｐｓｉｎｄｕｃｅｄｂｙｈｏｔｈｏｌｅｓｉｎｊｅｃｔｉｏｎｉｎｔｏｔｈｅｏｘｉｄｅａｒｅｒｅｓｐｏｎｓｉｂｌｅｆｏｒｔｈｅｌｉｎｅａｒｒｅｇｉｏｎｄｒａｉｎ ｃｕｒｒｅｎｔｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ，ａｎｄｓｉｎｃｅｔｈｅｒｅａｒｅｎｏｈｏｔｈｏｌｅｓｔｒａｐｐｅｄｉｎｔｈｅｇａｔｅｏｘｉｄｅｔｈｅｔｈｒｅｓｈｏｌｄｖｏｌｔａｇｅ ｋｅｅｐｓｕｎｃｈａｎｇｅｄａｓａｗｈｏｌｅ．Ａｓｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄａｎｄｉｍｐａｃｔｉｏｎｉｚａｔｉｏｎａｒｅｔｈｅｍａｉｎｃａｕｓｅｆｏｒｔｈｅｈｏｔ ｈｏｌｅｓｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ，ｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｔｈｅｌｅｎｇｔｈｏｆｐｂｕｆｆｅｒｒｅｇｉｏｎｃａｎｄｅｃｒｅａｓｅｈｏｔｃａｒｒｉｅｒｉｎｄｕｃｅｄｄｅｇｒａｄａ ｔｉｏｎｄｕｅｔｏｔｈｅｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃｆｉｅｌｄａｎｄｉｍｐａｃｔｉｏｎｉｚａｔｉｏｎｉｎｔｈｅｃｈａｎｎｅｌｒｅｇｉｏｎ． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｐｔｙｐｅｌａｔｅｒａｌｅｘｔｅｎｄｅｄｄｒａｉｎＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ；ｈｏｔｃａｒｒｉｅｒ；ｃｈａｒｇｅｐｕｍｐｉｎｇ；ｐｂｕｆｆｅｒｒｅｇｉｏｎ 　　ｐ型横向延伸漏区ＭＯＳ管（ｐｔｙｐｅｌａｔｅｒａｌｅｘ 电压．实际工艺中，为了节约制造成本，常利用场氧