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自动矢量网络分析仪1个误差O模自准术型校技
第l7卷 第6期 北 京 理 工 大 学 学 报 、bI.17 No.6
19卯年l2月 JoumalofBe h 血 ofn曲r咖 Dee.1997
]J 自动矢量网络分析仪1O个误差
模型自校准技术 』
方子文 沈庭芝
、 、 - _ ● _ ‘一
- , , — — — ‘ 一
擅 蔓 自校准技术是精确测量徽渡晶体管参数和精密校准自动矢量同络分析仪的关键技
术.利用信号流雷和矩阵方法.分析了测量徽渡晶体訾S参散的3种电路模型,给出了l0
个和84误差参数的显式解,为各种型号的矢量同培分析仪测量微波晶体訾S参散,提
供了精确测试方法.
关■调 Ilt~Nti,自动 兰旦堑坌堑垡;重基蝥 自校准方法
艄号珈洲 做 警.自张程 .
在非线性测试系统动态响应的特性研究和测试系统动态响应特性 自校准技术中,都是把
自动矢量网络分析仪(VANA)的采样电路(包括微波晶体管测试夹具在内)看成由两个四端口
构成的网络”如图1所示.网络 ,分别对待测负载的入射渡和反射渡采样,经过流图分析,
可以把图1的测量系统,化简成如图2的系统误差模型[21.本文就是在该1O个误差参数的流
占 n 乓2
l 1
‰ 占I1s..l{ l1岛
su
占∞
圈I 采样电麝等效桎圈 田2 系琉误差模型
图模型基础上,求出其显式解 1.从而达到精密测量微波晶体管S参数和精确 自校准 、,^N^
的目的.
1TRL(直通一反射一线段)校准技术
图2中的E参数,是由包括夹具在内的两个采样电路所产生的误差网络参数.图中的S
参数就是待测檄渡晶体管的二蛸IZl网络参数。而为了求得精确的待测网络S参数,首先要确
收稿日期:19卯.02.20
第6期 方子文等:自动矢量网络分析仪10个误差模型自较准技术 713
定 10个复数E误差参数.被测s参数与VANA的原始测量值 之间的关系式,可使用Mason
公式从系统误差模型上求出.即
I =E+(EE)S【jl(1一SE≈)+ D
j =E∞+(EEm)2/D
I E∞+(Em)S2/D
I=E+(EE)S【∞(1一SE1【)+s D R R R R
= = = =
其中 D=1一Sl】E1】一S≈E丑一S=SmE】t1筮+S】【≈El】E . E E E E
∞ ∞ * ∞
使用TRL法时,分别接3个已知s参数的标准负载替代被测负载.建立12个方程,联立
+ +
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