Sapphire 基板光检测器.PDF

Sapphire 基板光檢測器 班 級 : 四技系統四甲 指導老師 : 邱裕中 教授 學生學號/姓名 :吳盈德 洪虔萍 繳交年月 : 101 年 5  摘要： 光檢測器( Photodetector ，簡稱PD 是一種能夠將光信號轉換成電信號的半導體元件，具有光和半) 導體間交互作用，工作原理與太量能電池極為相似，但兩者間不同的是光檢測器( PD )必須在逆向偏壓操 作下， 而太陽能電池反之。 而本實驗在藍寶石 基板上製作了氮化鎵金屬-半導體-金屬光檢測器( Metal-semiconductor-metal photodetector ) ，並且描繪其光電特性。  前言： 當光檢測器元件 ( PD )製做完成後，需要進一步對這些光檢測器做良率的測試，以確定元件具有符合 的低電流特性，在進行各種實驗分析。 以電流電壓特性- 來說，我們會先進行分析並判斷暗電流準位是否在µA 以下，進而在經由不同的 儀器或者量測手法來驗證來得到實驗結果，而這次的專題實驗我們是以藍寶石 基板進行會個別量測電流- 電壓、光響應度、雜訊特性，來討論光檢測的特性。  電壓與電流的特性與分析： 對於電流 電壓特性，主要是用來測量原件在加偏壓時，在不照光條件下的暗電流- ( Dark current ) ，以 及照射某波長及強度光源時的光電流( Photo current ) 。 而量測暗電流可以使我們得知光檢測器是否具有合理且一致的低漏電流特性，並且可以確保載量測 光檢測器時不會因不知道元件的極限而給予過大的偏壓，使光檢測器崩貴。 而本實驗中，我們採用藍寶石 基板的光檢測器( PDs on Sapphire ) 元件來進行電流電壓特性量測，其- 量測結果如圖 1所示。判斷的漏電流大小的條件是反向偏壓 -5 V的漏電流值，而去分辨元件的暗電流準位 是否在 µA 以下。 我們利用電壓在-15 V~15 V 下測量我們氮化鎵金屬-半導體-金屬光檢測器在藍寶石基板上，如圖2所 示，我們可以發現金屬-半導體-金屬光檢測器，不管在正偏壓或是負偏壓下它的電流沒有正負號之分，也 可以判別出我金半金光檢測器的蕭特基接觸，當我的能障高度變小，電子變得叫容易通過，藉由蕭特積的 1 理論來說，此時對於半導體元件來說，是 ON的狀態 。 1E-4 1E-5 PD on shapphire 1E-6 1E-7 ) A 1E-8 ( t 1E-9 n e r 1E-10 r u 1E-11 C 1E-12 1E-13 1E-14 1E-15 -15 -