SiC 单晶片化学机械研磨试验研究 - 表面技术.PDF

第44卷摇 第4期 摇 摇 摇 表面技术 摇 摇 2015年04月 SURFACE TECHNOLOGY ·137 · 試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試試 SiC单晶片化学机械研磨试验研究 1 1 2 1 1 1 3 王庆仓 ,张晓东 ,苏建修 ,祝伟彪 ,郗秦阳 ,朱鑫 ,裴圣华 (1.西南石油大学 机电工程学院,成都610500;2.河南科技学院 机电学院,河南 新乡453003; 3.吉安职业技术学院 机电工程学院,江西 吉安343000 ) 摘摇 要:目的摇 提高SiC单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。 方法摇 进行研磨液试验,利用极 差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序;对主要影响因素进行单因素试 验并考察对材料去除率的影响。 结果摇 研磨液的质量为50 g,最优配方为:助研剂、分散剂、增稠剂、润滑 剂、磨料A、磨料B 的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B 的粒度均为W28。 结论 影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。 关键词:化学机械研磨;研磨液;碳化硅单晶片;材料去除率;表面质量 中图分类号:TG175摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 文章编号:1001鄄3660(2015)04鄄0137鄄04 DOI:10.16490/ j.cnki.issn.1001鄄3660.2015.04.025 Experimental Study on Chemical Mechanical Lapping of SiC Single Crystal Wafer 1 1 2 1 WANG Qing鄄cang ,ZHANGXiao鄄dong ,SUJian鄄xiu ,ZHU Wei鄄biao , 1 1 3 XI Qin鄄yang ,ZHUXin ,PEI Sheng鄄hua (1.Electromechanie Engineering College,Southwest Petroleum University,Chengdu610500,China; 2.Electromechanical Institute,Henan Institute of Science and Technology,Xinxiang453003,China; 3.Electromechanie Engineering College,Ji忆an Vocational Technical College,Ji忆an343000,China) ABSTRACT:ObjectiveToincreasethematerialremovalrateof SiCsinglecrystalwaferandimprovethesurfacequality afterpro鄄 cessing. Methods Grinding fluidexperimentwascarriedout,andtherangemethodwasusedtogettheoptimalproportionof grind鄄 ing fluid andtheimportanceorderoftheinfluencingfac