金属离子掺杂对TiO2光催化活性的影响综述.pdfVIP

第29卷 第5期 稀 土 Vo1．29。No．5 2008年 lO月 ( neseRareEarths October20o8 金属离子掺杂对 TiO2光催化活性的影响综述 张文保 ，崔玉民，王洪涛 (阜阳师范学院化学化工学院，安徽 阜阳 236041) 摘 要：光催化技术是一种新兴的高效节能现代污水处理技术。在参考近年来 国内外光催化领域文献资料的 基础上，综述了金属离子修饰T 技术研究新进展。从离子修饰机理角度解释了离子修饰提高TiO2光催化活性的 原因，进一步阐述光催化技术面临问题及发展前景。 关键词：光催化技术 ；离子掺杂；金属离子；二氧化钛 中图分类号：0643．3；O614．33 文献标识码：A 文章编号：1004-O277(2008)05．0080-05 Tio2因其光稳定性高、化学性质稳定、难溶 、无 结晶度，抑制电子与空穴的复合，延长载流子的寿 毒、成本低、具有高效性，被广泛用于光催化法处理 命，从而使光催化性能得以改善。金华峰等订J在复 有机或无机废水 【，。但是由于 T 的禁带宽度较 合半导体催化剂 TiO2／Si02中掺杂 Fe3发现 Fe3／ 宽(3．2eV)，仅能被波长较短的紫外线激发，故使得 TiO2／SiO2复合微粒的紫外吸收光谱明显发生红移。 太阳能的利用率很低。另外，由于光激发产生的电 因为复合微粒在热处理中离子发生了扩散和迁移， 子与空穴的复合，导致光量子效率很低，为了克服这 Fe3进入Tio2晶格，部分取代Ti4的晶格位置，形成 些缺点，近年来，离子修饰 Ti02是提高其光催化活性 了Ti—O—Fe及 Fe—O—Si的网络结构，晶粒存在 的一条很好的途径，成为 目前光催化技术的研究热 额外电荷，这些额外电荷必须由带相反电荷的其它 点[3，4]。 离子加以补偿，使整个晶体处于电中性。根据能带 理论 j，晶格中 的 轨道与氧离子的P一7c轨 1 影响金属离子掺杂效果的因素 道相互作用形成了兀与 兀 能带 ，兀能带为半导体 1．1 掺杂离子的种类 TiO2的价带，兀 能带为半导体 Tio2的导带。当低价 大量研究表明，掺人金属离子可改善 Tio2的光 的Fe¨取代Tio2晶格中的 时，在 Ti02带隙中形 催化性能。从化学观点看，金属离子掺杂可能在半 成新的d能带。由于晶格中Ti4的d轨道在 能 导体晶格中引入了缺陷位置或改变结晶度L5J等，从 带下方附近，所以新形成的d能带不能与丌 能带交 而影响电子一空穴对的复合 。如成为电子或空穴的 迭 9j，故在禁带中形成了许多分离的杂质中间能级， 陷阱而延长其寿命，或成为电子一空穴的复合中心 兀 能带与杂质能级交迭，分离的杂质中间能级将合 而加快了复合。Gratzel等 J报道了掺杂过渡金属离 并成杂质禁带并与T 导带重叠。这时半导体光生 子Fe、V和Mo胶体 ri(的ESR研究，77K下对 Fe¨ 电子在吸收较低能量时即可发生跃迁，紫外光谱红 (1％，质量分数)掺杂Ti02胶体分别光照，均显示了 移，光响应范围增大，光催化活性增强。陆诚等 【10J 强的Ti3ESR信号，而 Fe3信号、v4信号衰减，半 在 TiO2中掺杂 Ee3的同时，又掺杂 v5，适量的v5 衰期分别为 10min和 lOs。据此认为Fe3、V4为光 掺杂使TiO，电极的光电流