第3讲-料的结构和性能.ppt

* * * （3）面缺陷：金属晶体中的面缺陷主要有： A、晶界：实际金属是多晶体，由大量外形不规则 的小晶体(晶粒)组成的。每个晶粒可视为单晶，尺寸不 一。纯金属中，所有晶粒的结构完全相同，但彼此间的 位向不同，位向差大小不一。晶界就是晶粒与晶粒之间 的接触界面。随相邻晶粒位向差的不同，晶界宽度为5~ 10个原子间距。晶界在空中呈网状；晶界上原子排列不是非晶体，只是规则性较 差。晶界上原子排列采取相邻晶粒的折衷位置，通过晶界协调，使一个晶粒的晶格 位向逐步过渡为相邻晶粒的位向，如图1-19。 B、亚晶界：单个晶粒也不是完全理想的晶体，而是 有许多位向相差很小的所谓亚晶粒组成，如图1-20。 亚晶界尺寸比晶粒小2~3个数量级。亚晶粒的结构如果不 考虑点缺陷，可以认为是理想的。亚晶粒之间的位向差最 多只有1~2°。把亚晶粒之间的边界，就叫做亚晶界。亚 晶界是位错规则排列的结构。晶界和亚晶界可提高金属的强度和塑性。 * * * * 晶面：通过晶体中原子中心的平面叫作晶面。晶面采用米勒指数法进行 标定，以C面为例，其标定程序如图所示： 1）以晶格常数为长度单位，写出标定晶面在三条坐标轴上的截距，C 面截距：x=∝, y=-1, z=∝；2）截距取倒数，1/x=0, 1/y=-1, 1/z=0；3）截 距的倒数化为最小整数；4）将其放在圆括弧内，C的晶面指数为 。 金属易于沿原子最密排面发生变形。对于晶体生长，在电子材料如Si 或GaAs薄膜生长时，就需要保证衬底定位在薄膜能够生长的特定晶面上。 几点注意： 1）晶面和其负晶面是一样的，如 。这和晶向情况不同。 2）晶面指数和其倍数的晶面指数不同，如图3-16所示。 3）在晶胞中，存在原子排列相同但在空间位向不同（即不平行）的晶面，这些晶面总称为晶面族，用大括弧表示。如{110}=（110）+（101）+（011）+ 。 4）立方晶系中，晶向指数和晶面指数相同表示该晶向和该晶面垂直。 六方晶系的米勒指数 由于六方晶胞独特的对称性，采用Miller-Bravais指数法(四指数法)更方便。水 平坐标轴选取互相成120°夹角的三坐标轴a1, a2, a3，垂直轴为c轴，如图示。晶 面表示为（hkil) ；晶向表示为[uvtw] 。四指数中的前三个之间应保持如下关系： i=-(h+k), t=-(u+v)。求法示例：A晶面指数：1）a1=a2=a3=∝，c=1；2） 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0；3）化为最小整数；4）（0001）。 D晶向指数：1）头点和尾点：0, 1, 0和1, 0, 0；2）头点减尾点: (0, 1, 0) – (1, 0, 0) = (-1, 1, 0)； 3）化为最小整数；4） 。 晶胞原子数：指每个晶格阵点上的原子数和每个晶胞的晶格数的乘积。当计算 每个晶胞的晶格阵点数时，必须注意每个晶格阵点可能被不止一个晶胞拥有，如立 方晶胞中每个角上的晶格阵点同时还为周围相邻的7个晶胞所拥有，因此只有1/8的 晶格点属于该晶胞。对于简单立方、体心立方、面心立方晶格来说，其晶胞原子数 分别为1、2、4。如图3-7所示。 原子半径：晶胞中原子连续接触的方向就是原子的密排方向。而原子的 半径则是指在晶胞中相距最近的两个原子之间距离的一半，也就是晶胞中 原子密度最大的方向上相邻两原子之间距离的一半，记作 。 图3-8给出了原子半径和晶格参数间的关系。 配位数：就是晶格中与任一个原子相距最近且距离相等的原子数目。配位数越 大，原子排列的紧密程度就越大。 对于离子晶体，阳离子的配位数就是最近邻的阴离子数，而阴离子的配位数则 是指最近邻的阳离子数。图3-9是简单立方和体心立方晶体的配位数示意图。 致密度：是指晶胞中所包含的原子所占有的体积与该晶胞体积之比。致密度越 大，原子排列紧密程度越大。 如面心立方晶胞的致密度为0.74。 一种材料的理论密度可以利用材料的晶体结构特性进行计算，公式如下： 如具有体心立方结构的铁其理论密度为7.882g/cm3，而是测密度为7.870g /cm3。这种差别主要是由于材料中存在缺陷所致。 同素异型或者多晶型材料：是指具有多种晶体结构的材料。同素异型一 般是指纯元素，而多晶性材料则是指化合物。 如铁和钛金属就具有多种晶体结