高电压真空断路器温升影响因素的仿真研究 simulation researches on influence factors of temperature rise in high voltage vacuum circuit breaker.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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高电压真空断路器温升影响因素的仿真研究 simulation researches on influence factors of temperature rise in high voltage vacuum circuit breaker

第43卷第3期瘩坛圣譬 V01．43No3 。179’ 2007年6月 VoBage High Apparatus Jum2007 文章编号：1001—1609(2007)03-0179—04 高电压真空断路器温升影响因素的仿真研究余小玲，，魏义江，，刘志远2，冯全科1，王季梅2 (1．西安交通大学能动学院，陕西西安710049；2．西安交通大学电气工程学院，陕西西安710049) of Risein SimulationResearchesonInfluenceFactors Temperature Breaker VacuumCircuit IIighVoltage YU Ji—mei2 Xiao-lin91，WEIYi-jian91，LIUZhi—yuan2，FENGQuan—ke‘，WANG (1．Schoolof andPower 710049，China Energy Engineering，Xi’anJiaotongUniversity，Xi’an 2．SchoolofElectrical 7an 710049，China) En西neering，XiJiaotongUniversity，Xi’an 摘要：以一种高电压真空断路器模型为研究对象．对影响真 riseachievesaturatedwhentherodradiusreach temperature 李断路器温升的散热表面对流换热系数、动静触头接触点半 } 径、接触点位置以及导电杆的半径4种因素进行了仿真研 vacuumcircuitbreaker(VCB)； Keywords：highvoltage 究。研究结果表明．在考虑散热表面辐射和不考虑辐射两种 rise；thermal temperature analysis 情况下．动、静触头接触处的温度差别在5％以内．而考虑散热表面的辐射后．接线端子的温度下降了14％。真空断路器 0引言温升随着动静触头接触点半径的增大迅速降低而与接触点真空断路器具有使用寿命长、易于维护、适合位置无关．但当接触点半径增大至2mill以后．温升降低趋势 kV真空频繁操作、体积小等优点，目前在国内12 已不明显。真空断路器温升随着导电杆半径的增大而降低，