国内外半导体设备技术与市场 the technology and market of domestic and foreign semiconductor equipment.pdfVIP

电子工业毫用设备 ·专题报道· 圉肉外牢导崎设备技术与辛场 The andMarketofD0mesticand Technology Semiconductor Foreign Equipment 王讨、卫 (天津大学，天津300072) 摘要：概述了国内外半导体设备技术动态，介绍了光刻技术、CMP技术、膜生长技术、刻蚀技术、 离子注入技术、清洗技术及封装技术的发展现状和技术趋势，预测了全球半导体制造设备未来市 场变化，并提出了国产半导体设备技术创新的途径。 关键词：半导体设备；技术动态；市场现状与未来 中图分类号：TN305 文献标识码：B 文章编号：1004—4507—2006(10)一0024—05 nm工 1 半导体设备技术的发展 用。尼康公司2005年6月已推出可实现55 艺量产和45 世界半导体设备市场周期性变化。2000年攀 11111 升到374．9亿美元的巅峰，之后按余弦波曲线发ⅣA为1．2的浸液式光刻系统xT：1700i，可支持45 技术节点的光刻工艺。2005年心F浸液式光刻技 展，2004年又一次达到略低于上次峰值的370．8亿 美元新高，2005年再次回缩11．3％，预计下一次波术进入了实质性的应用阶段，对半导体技术向深亚 峰将在2009年前后出现。市场缓冲期正是技术储微米时代发展起了至关重要的作用，为集成电路向 备和实力增强的最佳时期，新一轮竞争将更加激 烈，需要性能更强、功能更全、效率更高的系统集成 已将干法193nm心F扫描光刻技术列入65nm技 nm 技术设备。半导体设备技术的发展逐渐将工艺技术 术节点的大生产技术，并将193 ArF浸液式光 模块化集成到设备之中，提高自动化程度和工艺控 刻技术作为可延伸到22nm技术节点的光刻技术。 制能力，实现技术创新。 光学光刻技术及其技术延伸长期以来担负着批量 根据国际半导体技术发展路线图(rrRS)的预生产应用的重任，其性价比已得到生产的验证，具 计，65nm、45nm、32姗、22m和18 nm技术节点 有相当的成本优势。高分辨率mF光学光刻技术通 的CMOS深亚微米集成电路将分别在2007、2010、过离轴照明、相移掩模、光学邻近效应校正、浸液曝 2013、2016和2018年开始小规模生产。目前130～光、双重曝光等综合性技术延伸其寿命。 90nm已成为主流生产工艺，中300mm晶圆生产 线设备可成套提供。 1．2CMP技术 当前铜互连、低七电介质和CMP已成为制造 1．1光刻技术 目前，90m技术节点应用的光刻机已投入使 艺，CⅧ工艺的作用越来越显得重要，并集成先进 (@(总第14l期) 万方数据 ·专题报道· 工艺控制技术，改进了电化学机械抛光工艺性能。 在技术上有很多难点，竞争也非常激烈，目前国际 应用材料公司推出了电化学机械抛光设备，是一种