平面Pn结InSb红外焦平面探测器的研究 - 激光与红外.PDFVIP

第４５卷　 第７期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４５，Ｎｏ．７ 　 ２０１５年７月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｊｕｌｙ，２０１５ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１５）０７０８１４０３ ·红外材料与器件 · 平面ＰＮ结 ＩｎＳｂ红外焦平面探测器的研究 李忠贺，李海燕，杜红燕，亢　?，邱国臣 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：研究了基于Ｂｅ离子注入技术的平面型和Ｃｄ扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵 列（ＩＲＦＰＡ）探测器芯片工艺流程。并进行了芯片Ｉ－Ｖ、成像结果等对比测试，Ｂｅ离子注入平 面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当，具备一定的工程应用水平。 关键词：锑化铟，离子注入，红外焦平面阵列探测器，平面结 中图分类号：ＴＮ２１３　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１５．０７．０１７ ＳｔｕｄｙｏｆＩｎＳｂＩＲＦＰＡｗｉｔｈｐｌａｎａｒＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎｓ ＬＩＺｈｏｎｇｈｅ，ＬＩＨａｉｙａｎ，ＤＵＨｏｎｇｙａｎ，ＫＡＮＧＺｈｅ，ＱＩＵＧｕｏｃｈｅｎ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌｐｒｏｃｅｓｓｅｓｏｆＩｎＳｂｉｎｆｒａｒｅｄｆｏｃａｌｐｌａｎｅａｒｒａｙｓ（ＩＲＦＰＡ）ｄｅｔｅｃｔｏｒｃｈｉｐｓｗｉｔｈｐｌａｎａｒＰＮｊｕｎｃ ｔｉｏｎｓｂａｓｅｄｏｎＢｅｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｍｅｓａＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎｓｂａｓｅｄｏｎＣｄｄｉｆｆｕｓｉｏｎｗｅｒｅｓｔｕｄｉｅｄｉｎｔｈｉｓｐａ ｐｅｒＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｔｅｓｔｓｗｅｒｅｃａｒｒｉｅｄｏｕｔｆｏｒＩＶｃｕｒｖｅａｎｄｉｍａｇｉｎｇｑｕａｌｉｔｙｏｆｔｗｏｐｒｏｃｅｓｓｅｓＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗ ｔｈａｔｃｈｉｐｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｗｉｔｈｐｌａｎａｒＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎｓｂａｓｅｄｏｎＢｅｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｒｅｃｏｍｐａｒａｂｌｅｗｉｔｈｔｈａｔｗｉｔｈｍｅｓａＰＮ ｊｕｎｃｔｉｏｎｓｂａｓｅｄｏｎＣｄｄｉｆｆｕｓｉｏｎ，ｗｈｉｃｈｐｒｏｖｉｄｅａｒｅｆｅｒｅｎｃｅｆｏｒｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＩｎＳｂ；ｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ；ＩＲＦＰＡｄｅｔｅｃｔｏｒ；ｐｌａｎａｒＰＮｊｕｎｃｔｉｏｎ １　引　言 离子注入技术可在较低温度下对ＩｎＳｂ进行掺杂，并 ＩｎＳｂ焦平面红外探测器技术在近２０年以来取 能精确控制掺入杂质的浓度分布和注入深度，从而 得了飞速发展，已经进入了成熟应用期，目前正向着 在较大面积上获得浅而均匀的掺杂层，形成较理想 高分辨率、小尺寸、数字化等方向发展［１－４］。在器件 的突变结。因此更适宜制作高密度的平面结阵列， 结构上通常采用台面型和平面型两种方式，台面型 提高光敏芯片的占空比。但离子注入会引入晶格损 器件具有工艺简单、串音小等优点，但在膜层的台阶 伤，需要增加退火工艺进行损伤消除。所以，基于热 覆盖上存在厚度不均等问题，在高分辨率、小尺寸焦 扩散成结的台面型器件仅适合在单元、小规格焦平 平面器件台面刻蚀上还存在线宽限制等问题，而平 面芯片上使用，而在大规格、小尺寸焦平面芯片的制 面型器件可以有效避免台面腐蚀制备中侧向钻蚀对 备上需要采用基于离子注入成结的平面型器 光敏面均匀性的影响，降低膜层对台阶覆盖特性的 件［５－９］。如以色列ＳＣＤ公司研发的１９２０×１５３６规