.半导体物理究极版.doc

试卷结构： 一、选择题（每小题分，共分）二、三、题（每小题分，共0分） 题 §1.1 锗和硅的晶体结构特征§1.2 半导体中的电子状态和能带 §1.3 半导体中电子的运动 有效质量 §1.4本征半导体的导电机构 空穴 ；；； §1.6 硅和锗的能带结构 硅和锗是间接带隙半导体 §2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 第三章 半导体中载流子的统计分布 §3.1状态密度 ； ； §3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布 §3.3. 本征半导体的载流子浓度 §3.4杂质半导体的载流子浓度 §3.5 一般情况下的载流子统计分布 分析判断费米能级随温度及杂质浓度的变化，尤其是饱和区： 少量受主杂质的n型半导体 ①极低温度下，施主杂质弱电离： ②低温下，施主浓度ND远比受主浓度NA大： ③饱和区；温度升高到ED大于EF，且满足ED-EFK0T时，施主杂质完全电离： 施主杂质的p型半导体 ①低温下弱电离： ②饱和区；受主杂质完全电离： §3.6. 简并半导体 3、杂质能带及杂质带导电。 第四章 半导体的导电性 §4.1 载流子的漂移运动 迁移率 欧姆定律的微分形式：； 漂移速度；迁移率，单位 ； 不同类型半导体电导率公式： 对p型半导体，pn，；对本征半导体，n=p=ni， §4.2. 载流子的散射. §4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 描述散射过程的两个重要参量：平均自由时间，散射几率P。他们之间的关系，； 1、电导率、迁移率与平均自由时间的关系： 2、(硅的)电导迁移率及电导有效质量公式： 3、迁移率与杂质浓度和温度的关系： §4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 各种半导体的电阻率公式：；（掺杂、温度及光照均有影响） n型半导体，p型半导体，本征半导体 本征半导体的电阻率与带隙宽度关系：材料的带隙宽度越大，同一温度下的本征载流子浓度就越低，本征半导体的电阻率就越高。 不同温区电阻率的变化/不同温区载流子的散射机制： §4.6 强电场下的效应 热载流子 第五章 非平衡载流子 §5.1 非平衡载流子的注入与复合 §5.2非平衡载流子的寿命 §5.3 准能级 。 §5.4. 复合理论 §5.5. 陷阱效应 §5.6. 载流子的扩散运动 §5.8. 连续性方程式 第六章 pn结 §6.1 pn结及其能带图 §6.2 pn结的电流电压特性 §6.3 pn结电容 §6.4 pn结击穿 1、雪崩击穿：由于倍增效应，使势垒区单位时间内产生大量载流子，迅速增大了反向电流，从而发生了pn结击穿。 2、隧道击穿(或齐纳击穿)：隧道击穿是在强反向电场作用下，势垒宽度变窄，由隧道效应，使大量电子从p区的价带穿过禁带而进入到n区导带所引起的一种击穿现象。因为最初是由齐纳提出来解释电介质击穿现象的，故叫齐纳击穿。重掺杂的半导体形成的pn结更容易发生隧道击穿。 3、热电击穿：当pn结上施加反向电压时，流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时，对应于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量热能。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升。 §6.5 p-n结隧道效应