混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响.PDFVIP

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混合磨料对LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响

年增刊 ( )卷 84 2012 Ⅰ 43 混合磨料对 LED用蓝宝石衬底CMP质量的影响∗ , , , , 于江勇 刘玉岭 牛新环 李英的 夏显召 ( , ) 河北工业大学 微电子研究所 天津 300130 - : , 摘 要 分析了混合磨料在蓝宝石衬底化学机械抛 碱性条件下 与碱作用生成 且 晶向     AlO AlO 2 3 2 ( ) , [ ] 光 CMP过程中的作用机理 并对比了SiO2 水溶胶 0001的蓝宝石衬底表面会持续形成厚度为 1nm左 , , 磨料和 与 混合磨料对蓝宝石衬底去除速 右的水 合 层 此 水 合 层 成 份 为水 铝石 化 学 式 SiO AlO 2 2 3 。 , · , , 。 率的影响 研究表明 在主磨料 SiO 水溶胶中加入浓 为AlO nH O 莫氏硬度小于蓝宝石 约为 7 2 2 3 2 度为 / 同粒径纳米级的 可以使 过 是一个化学作用与机械作用相互加强和促 20mLL AlO CMP CMP 2 3 - , , , 程中的化学作用与机械作用达到相互平衡 使抛光去 进的过程 其化学作用生成的 AlO2 易溶于水 容易 。 。 , , 除速率得到明显提高 在距抛光终点 5~10min通过 去除 AlSiO 难溶于水 如果机械作用过低 此产物 2 3 , , 调整工艺参数与抛光液配比 使表面粗糙度由2.32nm 难以移除 而水合层的存在会阻断抛光液与衬底的再 。 , 降至0.236nm 接触 这两种产物如果不及时移除将影响到

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