纳秒脉冲气体放电机理探讨-强激光与粒子束.PDFVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２０ １１ Ｖｏｌ．２０ Ｎｏ．１１ 　 　 年 月 ， ２００８ １１ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｎｏｖ． ２００８ 　 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２００８１１１９２８０５ 　 纳秒脉冲气体放电机理探讨 邵 涛， 严 萍， 张适昌， 孙广生 　 　 　 　 　 （中国科学院 电工研究所，北京 １０００８０） 摘 要： 经典 Ｔｏｗｎｓｅｎｄ机理和流注理论是气体放电研究的基础，但在解释纳秒脉冲气体放电时均存在 　　 　 　 一定缺陷。基于经典气体放电理论，探讨纳秒脉冲气体放电机理，分析流注理论判据在纳秒脉冲气体放电中的 有效性，解释纳秒脉冲下电子逃逸现象和基于电子逃逸的快速电离波击穿理论，仿真计算高能快电子的逃逸过 程。结果认为基于高能量快电子的逃逸击穿将是可能解释纳秒脉冲下气体放电现象的依据。 关键词： 气体放电； 流注理论； 流注判据； 逃逸击穿 　　 　 　 　 　 中图分类号： ； 文献标志码： Ｏ４６１ ＴＭ８９ Ａ 　　 　 　 　　　　 　 气体放电公认的基本理论是 Ｔｏｗｎｓｅｎｄ机理和流注机理，随着脉冲功率技术的发展，纳秒脉冲放电理论研 　　 究值得关注，气体放电基本理论能否在纳秒脉冲放电中适用，相关判据是否有效都是需要研究的问题。目前国 内外研究纳秒脉冲气体放电理论中提到的几种机理假说主要有：经典流注机理、电子崩链模型、逃逸电子模型 ［］ １ 和气体开关模型等 。其中基于高能量快电子逃逸的相关理论被认为最有希望解释纳秒脉冲气体放电机理。 本文基于经典的放电理论，从流注放电判据入手，探讨纳秒脉冲气体放电理论。 １ 流注判据的讨论 　 Ｔｏｗｎｓｅｎｄ机理和流注机理都以碰撞电离为基础，流注机理在 Ｔｏｗｎｓｅｎｄ电子崩的基础上，进一步考虑空 　　 ［］ ２ 间光电离效应，实现二次电子崩，逐步发展流注，完成火花击穿 。流注放电的发展需要考虑在临界电子崩时 ［］ 是否辐射足够引发空间光电离的光子，通常由气体受激分子辐射产生，而受激分子的寿命 １ １０ｎｓ３ ，即其平 ～ ［］ －７ －８ ２ 均发光时间需要 １ １０ｎｓ，激励态的原子寿命更长，只有 １０ １０ ｓ量级 。如果流注发展到临界电子