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2016.01.05 外延生长工艺简介 LOREM IPSUM DOLOR 1  什么叫外延生长？  硅外延的基本原理  外延生长掺杂原理  外延设备及所用的气体  外延工艺过程  外延生长中的自掺杂  图形漂移、畸变  外延层中的晶体缺陷  外延的质量表征因子 2 什么叫外延？ 外延Epitaxy这个词来源于希腊字epi,意思是 “…之上”。这样选定的 词对外延提供了一个恰当的描写。一个含有硅原子的气体以适当的方式通过 衬底，自反应剂分子释放出的原子在衬底上运动直到它们到达适当的位置， 并成为生长源的一部分，在适当的条件下就得到单一的晶向。所得到的外延 层精确地为单晶衬底的延续。 硅外延生长其意义是在具有一定晶向的硅单晶衬底上生长一层具有和衬 底相同晶向的电阻率与厚度不同的晶格结构完整性好的晶体。 半导体分立元器件和集成电路制造工艺需要外延生长技术，因半导体其 中所含的杂质有N型和P型，通过不同类型的组合，使半导体器件和集成电 路具有各种各样的功能，应用外延生长技术就能容易地实现。 硅外延生长方法，目前国际上广泛的采用化学气相沉积生长方法满足晶 体的完整性、器件结构的多样化，装置可控简便，批量生产、纯度的保证、 均匀性要求。 3 硅外延的基本原理: 硅的化学气相沉积外延生长其原理是在高温（＞1100℃）的衬底上输送硅 的化合物（SiHCl3或SiCl4或SiH2Cl2等）利用氢（H2）在衬底上通过还原反 应析出硅的方法。 同时外延生长的重要特征之一是可以用任意浓度和导电类型的硅衬底上人 为的故意地进行掺杂，以满足器件花样众多的要求。 气相外延生长过程包括： （1）反应剂（SiCl4或SiHCl3+H2）气体混合物质量转移到衬底表面； （2）吸收反应剂分子在表面上（反应物分子穿过附面层向衬底表面迁移）； （3）在表面上进行反应或一系列反应； （4）释放出副产物分子； （5）副产物分子向主气流质量转移；（排外） （6）原子加接到生长阶梯上。 4 氯硅烷还原法的特点在于它是一个吸热过程,该反应需要在高温 下才能发生。这些反应是可逆的，其可逆的程度随氯硅烷中氯(Cl) 的含量的增加而增加。同时，氯的含量决定了外延生长温度范围。 外延生长温度随硅源中氯（Cl)含量的增加而增加。 同时我们应知道，硅片表面是硅单晶体的一个断面，有一层或 多层原子的键被打开，这些不饱和键处于不稳定状态，极易吸附 周围环境中的原子和分子，此现象称为 “吸附”。吸附在硅片表 面的杂质粒子在其平衡位置附近不停地做热运动，有的杂质离子 获得了较大的动能，脱离硅片表面，重新回到周围环境中，此现 象称为 “解吸”。而同时介质中的另一些粒子又被重新吸附，即硅 片表面层吸附的杂质粒子处于动平衡状态。 对硅片而言 吸附放热 ,解吸吸热。 按照被吸附的物质的存在状态，吸附在硅片表面的杂质可分为： 分子型，离子型和原子型三种。 5 外延生长掺杂原理