电子发射系数材料砷化镓的理论设计.pdfVIP

第37卷第1期 中 圈 绅每 技 求 大 誊 辱 旅 V01．37，No．1 200 JoU冈妣LOFUNIVERSlTYOFSClENCEANDT日CHNoLJOGYOFCHINA 0 07 7年1月 Jan．2 文章编号：0253—2778(2007)01—0109—04 古一次电子发射系数材料砷化镓的理论设计 同一 谢爱根1，李传起1，郭胜利1，裴元吉2 (1．南京信息工程大学数理学院，江苏南京210044， 2．中国科学技术大学国家同步辐射实验室，安徽合肥230029) 摘要：根据通常负电子亲和势二次电子发射材料砷化镓的能级特点，提出延长负电子亲和势二次电 子发射材料砷化镓的逸出深度的理论设计，设计出了特殊的负电子亲和势二次电子发射材料砷化 镓．通过对两种负电子亲和势二次电子发射材料的二次电子发射系数的理论值进行比较和分析，得 出：当原电子入射能量