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第一章 1．杂质半导体分为 ( N ) 型和 ( P ) 型。自由电子是 ( N ) 型半导体中的多子。空穴是 (P ) 型半导体中的少子。 2．杂质半导体中的少子因 ( 本征激发 ) 而产生，多子主要因 ( 掺杂 ) 而产生。 3．常温下多子浓度等于 ( 杂质 ) 浓度，而少于浓度随 ( 温度 ) 变化显著。 4．导体中的 ( 扩散 ) 电流与载流子浓度梯度成正比； ( 漂移 ) 电流与电场强度成正比。 5．当 ( P ) 区外接高电位而 ( N ) 区外接低电位时，PN结正偏。 6，PN结又称为 ( 空间电荷区 )、( 耗尽层 )、( 阻挡层 )和 ( 势垒区 )。 7．PN结的伏安方程为( )。该方程反映出PN结的基本特性是 ( 单向导电性 ) 特性。此外，PN结还有 ( 电容 ) 效应和 (反向击穿 )特性。 8．PN结电容包括( 势垒 )电容和( 扩散 ) 电容。PN结反偏时，只存在 ( 势垒) 电容。反偏越大，该电容越 ( 越小 )。 9．普通Si二极管的导通电压的典型值约为 ( 0.7 ) 伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为( 0.3 )伏。 10．( 锗 ) 二极管的反向饱和电流远大于( 硅 ) 二极管的反向饱和电流。 11．PN结的反向击穿分为( 齐纳 )击穿和( 雪崩 )击穿两种机理。 12．稳压管是利于PN结( 反向击穿 )特性工作的二极管。 13．变容二极管是利于PN结( 反向 )特性工作的二极管。 14．二极管交流电阻rd的定义式是( )，rd的估算式是( )，其中热电压UT在T=300K时，值约为 ( 26 )mV。 15．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在( 放大 )区，当发射结和集电结都( 正偏 )时，BJT饱和；当发射结和集电结都 ( 反偏 ) 时，BJT截止。 16．放大偏置的NPN管，三电极的电位关系是( )。而放大偏置的PNP管，三电极的电位关系是( )。 17．为了提高β值，BJT在结构上具有发射区杂质密度 ( 远远高于 )基区杂质密度和基区( 很薄 )的特点。 18．ICBO表示( 集电极反向饱和电流 )，下标O表示( 发射极开路 )。ICEO表示( C-E间的穿透电流 )，下标O表示( 基极开路 )。这两个电流之间的关系是( )。 19．在放大区iC与iB的关系为 ( )，对Si管而言iC ≈ ( )。 20．共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是 ( )。 21．在放大区，iE、iC和iB近似成( 线性 )关系，而这些电流与uBE则是( 指数 )关系。 22．放大偏置的BJT在集电结电压变化时，会通过改变基区宽度而影响各级电流，此现象称为( 基区宽度调制效应 )。 23．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是( )。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是( )。 24．当温度增加时， ( 增大 )，ICBO ( 增大 )，而共射输入特性曲线( 左移 )使得UBE减小。 25．BJT的三个主要极限参数是()、( )和()。 26．交流β的定义式为( )；直流的定义式为( )。 27．当|β（f）|＝1时的频率称为BJT的( 特征频率 )。 28．rbe和交流β其实是两个共射H参数，它们与混合π参数的关系是rbe =( )，β=( )。 29．引入厄利电压UA是为了便于估算反映基调效应的混合π参数( )和( )。 第二章 1．放大器的直流通路可用来求( 静态工作点 )。在画直流通路时，应将电路元件中的( 电容 )开路，( 电感 )短路。 2．交流通路只反映( 交流 )电压与( 交流 )电流之间的关系。在画交流通路时，应将耦合和傍路电容及恒压源( 短路 )。 3．题2.13(3)所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为( )。该电路的交流负载线是经过( Q )点，且斜率为( )的一条直线。共射放大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点( )的运动轨迹。 4．CE放大器工作点选在( 交流负载线 )的中点时，无削波失真的输出电压最大。 5．放大器信号源的等效负载是放大器的( 输入 )电阻，而向放大器的负载RL输出功率的等效信号源的内阻是放大器的( 输出 )电阻。 6．多级放大器的增益等于各级增益分贝数( 相加 )。若放大器Au= -70．7倍，则Au的分贝数=( 37 )。 7．级联放大器常用的级间耦合方式有( 直接 )耦合，( 阻容 )耦合和( 变压器 )耦合。 8．放大器级间产生共