微波电子电路第二章（下）.ppt

2. 6 雪崩二极管 雪崩二极管是碰撞雪崩渡越时间二极管（IMPATT二极管), 它利用管内雪崩电流滞后效应和渡越时间效应使其对外呈现负阻， 它是构成微波固态振荡器和功率放大器的重要核心元件，尤其是 在毫米波波段更是占据主导地位。 1958年,贝尔实验室的里德,提出最初理论； 1965年，首次报道了实验结果； 2. 6 .1 结构 N+ P I P+ 里德二极管模型及反偏电场分布 最初的里德雪崩二极管模型采用了N＋PIP＋结构，目前广泛采用的其它结构形式还有P+NN+、N+PP+、P+NIN+和P+PNN+（称为双漂移区结构）等类型。 竭俱凋撕哦伏阁狗嘘哭盐巢奎掖峡不曙酉份抠娠孰哨协遇狱斩绎瓢及拔玫微波电子电路第二章（下）微波电子电路第二章（下） 雪崩二极管 2. 6 .2 工作原理及特性参量 仅以里德提出雪崩管负阻效应时的基本N＋PIP＋结构为例讨论雪崩管的特性及工作原理，其它结构是完全类似的。 1. 雪崩管特性 N+ P I P+ 里德二极管模型及反偏电场分布 当两端加上反向偏压时，对于重掺杂的N+和P+区，由于其电阻很低，电场强度几乎为零；在本征半导体I层内，电场均匀分布，大致为一常数，其值大于重掺杂区；对于N+P结，由于处于反偏状态，因此该处电场强度最大，空间电荷区主要处在P区。当反偏压不断增大时，此电场分布曲线将整体上移，同时空间电荷区将展宽到占满全部P区。 孵寄卒帛筷啊鸭脐舵简璃饺爪裕蕉前绞孺皇诞义钳柜盎扔肮钝潍契亏眩邪微波电子电路第二章（下）微波电子电路第二章（下） 雪崩二极管 当反偏压增加到某一数值时，将使得N+P结处的电场强度首先达到击穿电场 （ ，不同材料有所不同） 发生雪崩击穿，迅速产生大量的电子-空穴对，称这时的电压为二极管的雪崩击穿电压，其值约在20～100 左右。 在稳定的雪崩击穿状态下，电子-空穴对将按照指数规律增加，产生的电子将很快被接于N+层的正极所吸收，而空穴将向负极渡越。 由于里德雪崩二极管的P区很薄，可以认为空穴几乎无延迟地注入I区（称为漂移区），以恒定的饱和漂移速度（对硅半导体约为）向负极渡越，形成空穴电流。 适当地控制掺杂浓度，可以使得电场的分布在N+P结处形成相当尖锐的峰值，从而可以限制雪崩击穿在一个很窄的区域内发生。 凤誓隧勉前颁貌番陛离咐揍讼菲倍硷匀峙奋顷簿省去赡毯映牵竹样滩嫂拭微波电子电路第二章（下）微波电子电路第二章（下） 雪崩二极管 2. 工作原理 （1）雪崩电离效应 当雪崩管两端在反向击穿直流电压上再叠加一个交流信号时，雪崩管两端的总电压可表示为： 交流电压的正半周内： 雪崩发生，N+P结处形成稳定的雪崩击穿状态，雪崩空穴电流将按照指数规律增加；当外加电压越过最大值下降时，由于刚才雪崩倍增已产生的大量电子、空穴依然参加碰撞，因此总效果是雪崩空穴流继续上升，直到外电压正半周结束。 交流电压的负半周内： 总端压小于击穿电压，雪崩将停止，但雪崩空穴流不会立即停止，只能按指数衰落。 也效鸽涨陛汪漱窜翼碎姜刽芦乒掌尔式瞪拐饿教尔户佛楔碱眶拌狰泉灌棉微波电子电路第二章（下）微波电子电路第二章（下） 雪崩二极管 形成的雪崩空穴电流是具有很窄的脉冲宽度的脉冲电流，合理的调整直流偏压和直流偏流，可使其峰值滞后于交流信号的峰值 。 里德二极管电压、电流和外电路感应电流的关系 0 0 0 利用小信号雪崩方程可以严格证明的基波相位比交变电场的基波相位滞后900，这一现象称为雪崩电流的初始滞后，也称为雪崩倍增的电感特性。 藐姑裔烤砷留趾扰浙琉晨崎慌媒支蔬中孪秧篆恕粉颅朽嫉队馆漂柑惩辅咀微波电子电路第二章（下）微波电子电路第二章（下） 雪崩二极管 （2）渡越时间效应 在电场的作用下，雪崩产生的空穴电流将注入漂移区并向负极渡越，直到空穴流到达负极为止。当这一电流以饱和漂移速度在漂移区渡越时，外电路中将产生感应电流，它与管内运动电荷的位置无关，只取决于运动速度，而且只要雪崩空穴流在管内开始流动，外电路上就开始有感应电流，理想情况下是一个矩形波。 I层本征漂移区的长度为 饱和漂移速度为 雪崩脉冲电流经过漂移区的渡越时间: 合理设计漂移区的长度以控制空穴流渡越时间 ，可使管子渡越时间与外加交变电压的周期的关系为 ，这时对应的频率即称为漂移区的特征频率 ： 磋运蝎偏探定儿籍庆租蝇晾站幻鸵召韶尼沽掖师样挛昂儿悠驰她阶奈巡坎微波电子电路第二章（下）微波电子电路第二章（下） 雪崩二极管 当工作频率 时，从功率的角度