基区重掺杂对sige hbt热学性能的影响 effect of base heavy doping on thermal characteristic of sige hbt.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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基区重掺杂对sige hbt热学性能的影响 effect of base heavy doping on thermal characteristic of sige hbt.pdf

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基区重掺杂对sige hbt热学性能的影响 effect of base heavy doping on thermal characteristic of sige hbt

材料与器件 MaterialsandDevices DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2011．04．002 基区重掺杂对SiGeHBT热学性能的影响付强，张万荣，金冬月，谢红云，赵昕，王任卿 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京100124) 摘要：相对于同质结晶体管，异质结双极晶体管(HBT)由于异质结的存在，电流增益不再主要由发射区和基区掺杂浓度比来决定，因此可以通过增加基区掺杂浓度来降低基区电阻，提高频率响应，降低噪声系数，但基区掺杂浓度对器件热特性影响的研究却很少。以多指SiGe HBT的热电反馈模型为基础，利用自洽迭代法分析了基区重掺杂对器件集电极电流密度和发射极指温度的影响。通过研究发现，随着基区浓度的增加，SiGeHBT将发生禁带宽度变窄，基区反向注入发射区的空穴电流增大；同时，基区少子俄歇复合增强，这些都将减小集电极电流密度，降低发射极指温度，从而抑制发射极指热电正反馈，提高器件的热稳定性。关键词：SiGe异质结双极晶体管；基区重掺杂；热电正反馈；热学性能；掺杂浓度中图分类号：TN322．8文献标识码：A EffectofBase onThermalCharacteristicofSiGeHBT HeavyDoping FuQiang，ZhangWanrong，JinDongyue，XieHongyun，ZhaoRenqing Xin，Wang Electronic andControl of 100124，China) (College Information Engineering，BeijingUniversityofTechnology，Beijing to of current Abstract：Comparedhomojunctiontransistors，becauseheterojunctionexistence，the ofSiGe not determinedtheratioofemitter transistor(HBT)is gain heterojunctionbipolar mainly by tobase Callbeincreasedtodecreasebase doping doping．Therefore，basedoping resistance，increase and effectofbase onthermal decreasenoise frequencyresponse coefficient．However，thedoping characteristicofSiGeHBTisresearched ontheelectro—thermalfeedbackmodelformulti- rarely．Based SiGe effectofbase onthecollectorcurrent andtheemitter fingerpowerHBT，the heavydoping den