基于arm7可控硅参数测试仪设计 design of scr parameters measuring instrument based on arm7.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.33万字
约 5页
2017-08-13 发布于上海
举报
版权申诉

基于arm7可控硅参数测试仪设计 design of scr parameters measuring instrument based on arm7.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

基于arm7可控硅参数测试仪设计 design of scr parameters measuring instrument based on arm7

咿熬蕊盏 doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．07．009 基于ARM7可控硅参数测试仪设计詹训进 (广东松山职业技术学院，广东韶关512126) 摘要：针对传统的可控硅模拟测试仪器存在操作不便的缺点，提出了一种基于ARM7及LCD 显示的数字化可控硅测试仪设计方案，给出总体设计思路及相关测量电路原理图，并着重介绍系统测试原理及高、低测量电压源的设计思路。综合应用各种措施，解决高压泄露导致系统工作的不可靠问题，最后给出系统软件设计思想及部分测试结果。样机5S内测出可控硅的各项常规参数，测量结果直观、准确，操作方便。关键词：可控硅；高压电源；隔离设计；ARM微处理器；统计测量中图分类号：TN407文献标识码：A 文章编号：1003．353X(20LO)07—0650．04 ofSCRParameters InstrumentBasedonARM7 Design Measuring Zhan Xunjin (GuangdongSongshanPolytechnicCollege，Shaoguan512126，China) Abstract：BasedontheARM7andtheLCD novelschemefortestthe of digitaldisplay，a parameters SCRis can themoreconvenientinmeasurementandovercomethefaultsofthe proposed，whichprovide traditionalmeasureinstrumentsfortheSCR for the and summarystrategy problem testing．ne solving schematic are oftest andthecircuitofmeasure ale diagram presented．r11letheory system equipment introduced．11leofinstrumentcausedthe leakcanbe unreliability by high-voltage improved．Softwaredesign are andsomeofthetestresults resultsshowthatthenormal oftestcanbeobtained presented．’rhe parametem within5 thetestaccurateofSCRCallbe controlforSCRis S，and ensured，the easy． measurement Keywords：SCR；hi【ghpower；isolationdesign；ARMmicroprocessors；statistics EEACC：7200 数；然后将可控硅置于低压插座，启动测量后3S 0 引言