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集成电路开短路失效原因探讨 failure cause research on ic open and short circuit
集成电路开短路失效原因探讨
李兴鸿，赵俊萍，赵春荣，赖世波
(北京微电子技术研究所，北京 100076)
摘 要：对过电应力引起的CMOS集成电路的开短路失效模式。从电路结构、导电通路、误操作等方面进
行了失效原因探讨。列举了一些过电应力的来源，说明了电压或电流幅度很小也可导致过电应力烧毁．从而
说明了根据失效模式来寻找过电应力来源的困难性。对失效分析、故障归零将有很好的参考价值。
关键词：数字集成电路；过电应力；开路；短路
中图分类号：TN432 文献标识码：A
on
FailureCauseResearchIC andShortCircuit
Open
LIXing—hong，ZHAOJun—ping，ZHAO Shi—bo
Chun—rong，LAI
Micro-electronicResearch 100076，China)
(Beijing TechnologyInstitute，Beijing
the of
Abstract：Fromcircuit of
aspects composition,thepathcurrent,misusesetc，failure
the andshortcircuitfailuremodescaused
cau戳塔ofopen by
CMOSICsisdiscussedinthis rootcausesofEOSis that
paper．Some listed，explainingvery
low orcurrentalsoleadtoEOS is hardtoresearchtheroot
damage．It
voltage may melting very
causeofEOS tofailuremodes．The bea referenceforfailure
onlyaccording papermay good
androotcause
analysis eliminating．
circuit
circuit；short
Keywords：digitalIC；EOS；open
0 引言 的种类有很多，电路宏观结构上有一定的差异。本
文为了缩小研究范围．选取CMOS数字集成电路
在集成电路的筛选、测试和使用中，经常发现
作为研究的对象。从CMOS数字电路的宏观结构
在母体数很大的样本中．总有个别器件出现开短路
性能出发．采用列举法对可能的过电应力原因进行
的严重失效模式。根据分析，都属于过电应力熔融
分析，以供今后失效分析及故障归零做参考。
烧毁。
当判断为过电应力损伤后．一般都希望知道过
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