基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制 development of terahertz frequency solid state multiply sources and sensors with schottky barrier diodes.pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制 development of terahertz frequency solid state multiply sources and sensors with schottky barrier diodes.pdf

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基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制 development of terahertz frequency solid state multiply sources and sensors with schottky barrier diodes

第3期电子学报 V01．41No．3 2013年3月 ACrAELECrRONICASINICA Mar．2013 基于肖特基势垒二极管的太赫兹固态倍频源和检测器研制姚常飞1,2，周明2，罗运生2，许从海2，寇亚男2，陈以钢2 (1．南京电了：器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，江苏南京210016； 2．南京电子器件研究所微波毫米波模块电路事业部，江苏南京210016) 摘要：本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺，对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究．文章结合肖特基势垒二极管物理结构，采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法，对各模块电路进行优化设计，研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器)．0．15THz检波器测得最高检 0．24THz变频损耗典型值为11．5dB．关键词：太赫兹；倍频器；检波器；谐波混频器中图分类号：‘IM7 文献标识码： A 文章编号：0372—2112(2013)03—0438．06 电子学报URL：http：／／www．ejournal．org．CIIDOI：10．3969／j．issn．0372．2112．2013．03．004 ofTerahertz SolidState Development Frequency Multiply Sourcesand with Sensors BarrierDiodes Schottky YAO Ya．nan2，CHEN Chang—feil，2，ZHOUMin92，LUOYun—shen92，XUCong．hai2，KOU Yi．gan92 and Devices (1．Science OnMonolithic CircuitsandModules 210016，China Technology Integrated Laboratory，№，咖ElectronicInst豇ute，Nanjing，船H MicrowaveandMillimeterWave ElectronicDevices 210016，China) 2．Departmentof Modules，Naming Institute，Nanjing，Jiangsu Abstract：Terahertzsolidstate soul陀esandsensorsale withCraAs balTitSTdiodes frequencymultiplying developed Schottky and circuit on structureof integrated sensors， hybrid process．Basedphysical diode，hi【ghefficiencymultipliers，andhi【ghsensitivity suchasdetector