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CaCu_3Ti_4O_12_块材和薄膜的巨介电常数
第 52 卷 第 6 期 2003 年 6 月 物 理 学 报 Vol. 52 ,No. 6 ,June ,2003
( )
10003290200352 06 150005 ACTA PHYSICA SINICA 2003 Chin. Phys. Soc.
CaCu Ti O 块材和薄膜的巨介电常数
3 4 12
) ) ) )
赵彦立1 焦正宽1 2 曹光旱1
1) (浙江大学物理系 ,杭州 310027)
2) ( 台州学院物理系 ,临海 317000)
( )
2002 年 7 月 12 日收到;2002 年 10 月 31 日收到修改稿
( ) ( )
ε
用固相反应法和脉冲激光沉积 PLD 制备了 CaCu Ti O 块材和薄膜 ,获得了相对介电常数 ′1kHz ,300K 高于
3 4 12
( )
14000 的介电特性 , 是目前该体系最好的结果. 报道了 00 l 取向高质量 CaCu Ti O 外延薄膜及其介电性质.
3 4 12
ε
CaCu Ti O 相对介电常数 ′在100 —300K温度范围内基本保持恒定 ,稳定性好. 基于跳跃电导模型 ,对 CaCu Ti O
3 4 12 3 4 12
薄膜介电电导的频率依赖关系作了合理解释.
关键词 : CaCu Ti O , 巨介电常数 ,PLD
3 4 12
PACC : 7340R , 7755 , 7780
比的 CaCO3 , CuO 和 TiO2 混合并充分研磨后 , 在
1 引 言 1000 ℃左右预烧 8h. 重新研磨 ,并压成直径为 1cm ,
厚度约为 25mm 的
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