第8讲是兴奋剂.pptVIP

半导体制造技术西安交通大学微电子技术教研室第十一章 掺 杂;目 标;半导体制造常用杂质;具有掺杂区的CMOS结构;CMOS 制作中的一般掺杂工艺;硅片中的掺杂区;扩 散;扩散的概念;扩散后的晶园剖面图;硅中的杂质扩散;固态扩散的目的;浓度随深度变化的曲线;扩 散 工 艺;扩散工艺的步骤;硅中杂质的固溶度;1100°C 下硅中的固溶度极限;推进氧化;扩散常用杂质源;离 子 注 入;硅片工艺流程中的离子注入;控制杂质浓度和深度;离子注入机示意图;离子注入机;离子注入的优点 ;注入机分类;杂质离子的射程和投影射程;注入能量对应射程图;注入杂质原子能量损失;轻离子和重离子引起的晶格损伤;Ion Implanters;离子源和吸极装配图;Bernas 离子源装配图;离子源和吸极交互作用装配图;分析磁体;离子注入机分析磁体;加 速 管;剂量与能量图;高能注入机的线形加速器;空间电荷中和;中性束??陷阱;硅片的静电粒子束扫描;注入阴影效应;离子注入硅片的机械扫描;控制硅片充电的电子喷淋;控制硅片充电的离子喷淋;离子注入机的终端口;注入工艺腔的硅片传送器;法拉第杯电流测量;硅单晶的退火;沿 110 轴的硅晶格视图;离子人射角与沟道;来自颗粒沾污的注入损伤;离子注入在工艺集成中的发展趋势;注入埋层;倒掺杂阱;防止穿通;阈值电压调整的注入;源漏区形成;沟槽电容器的垂直侧墙上杂质注入