磁控溅射做fe,Co薄膜.ppt

磁控溅射做Fe 、Co薄膜实验  一.磁控溅射技术简介 磁控溅射技术作为一种十分有效的薄膜沉积方法，被普遍和成功地应用于许多方面，特别是在微电子，光学，磁性薄膜和材料表面处理领域中，用于薄膜沉积和表面覆盖层制备。1852年Gorve首次描述溅射这种物理现象，20世纪40年代溅射技术作为一种沉积镀膜方法开始得到应用和发展，60年代后随着半导体工业的迅速崛起，这种技术在集成电路生产工艺中，得以普及和广泛的应用。我们目前是在实验中使用磁控溅射法以(001)取向的硅片为基片沉积Fe，Co薄膜。 磁控溅射的工作原理如图，电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar 和新的电子；新电子飞向基片，Ar 在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长， 而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。 二.用磁控溅射制膜实验步骤 2.1 基片的清洗 我们主要采用 (001)取向的硅片做为基片，采用超声清洗的方法去除基片表面的灰尘，纤维，油脂，蛋白质等污染物。 将买来的硅片切成边长大约为1cm的正方形基片； 将切好的基片放在丙酮溶剂中浸泡并用超声波清洗10—20min，我们一般是清洗15min； 取出基片放到纯酒精中浸泡并用超声波清洗5min左右； 取出基片，用电吹风，吸纸等快速烘干。 2.2 溅射具体操作过程 将洗好的基片装夹在基片托上（如图1所示），然后就可以与Fe靶和Co靶一起拿到磁控溅射仪旁准备装入镀膜室。 由于磁控溅射仪为了保持工作寿命，必须时刻保持腔体内处于一定的真空度下。所以我们装夹基片和靶材必须先打开镀膜室腔体(如图2)。 根据真空抽气及进气系统图（如图3所示）可以看出，要打开含有一定真空度的镀膜室，我们首先要进气，此时我们首先需要打开整个系统的冷却水阀，开启控制总开关。然后打开G3，和V1阀，放进气体，使两个室的气压变成大气压，然后按下上升按钮，打开镀膜室上盖。 然后我们就可以将基片和靶材安装到镀膜室。我们的Fe靶和Co靶分别安装在镀膜室底部的A靶和B靶（一共有A，B，C，D，E五个靶，沿一周均匀排布，每个间距72度，如图4所示。其中A，B靶是电磁靶，C，D，E为永磁铁靶）上进行溅射。基片通过样品拖的固定安装在镀膜室顶部转盘上相邻的两个固定槽（固定槽沿转盘一周均匀分布六个，每个相间60度，如图5所示）。 我们首先将底下挡板(形状如图6所示)的口调整对准C靶（C靶在A靶逆时针方向144度处），将顶部转盘的靠右固定有基片的样品托（另一含有基片的样品拖就在顺时针方向60度处）对准A靶，顶部挡板口(顶部挡板周边是锯齿，其它大致与底部挡板类似)也先对准此样品托。 安装完毕后，我们按下下降操作按钮关闭镀膜室。 根据气路图，我们此时需要关闭V1，使整个腔体封闭，然后打开G3使两个室连通，开始进行抽真空的准备。 我们首先是打开机械泵Ⅱ工作按钮，然后打开V2，用机械泵Ⅱ先工作来抽气。此时打开最低压强为10-1 Pa量程的真空计进行检测（同时需要按下混合按钮），当腔体内压强降到大约30Pa左右时，我们此时可以关闭V2，打开电磁阀Ⅱ，分子泵Ⅱ以及G2阀。然后打开机械泵Ⅰ，电磁阀Ⅰ以及分子泵Ⅰ，还有G1。此时有两个机械泵和两个分子泵同时抽气。 当打开的真空计压强降到最小量程1.0X 10-1 Pa时，我们可以开启量程为10-1 ～ 10-7 Pa的真空计进行腔内压强监控，大概抽气一天左右腔体内真空度可以达到10-3 Pa级（目前情况），此时我们便可以准备通氩气进行溅射镀膜。 首先，我们要关闭G3阀，关闭量程为10-1 ～ 10-7 Pa的真空计，打开最小量程1.0X 10-1 Pa的真空计。打开V7和V4阀，打开Ar气瓶，开启流量计，调节流量为30左右，我们再通过调节G1阀的大小来调节室内压强，调节到0.5Pa左右，此时我们可以开启A靶的直流电源，进行直流磁控溅射。 调节电流大小可以控制A靶上的Fe靶起灰，起灰后我们让它对着底板的挡板溅射10分钟左右以消除表面的杂质，然后通过电脑控制底板挡板顺时针旋转