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file PECVD 技术 和SiN:H减反膜 PECVD原理及作用 PECVD： Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (等离子增强化学气相沉积) 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱落原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合物组成的一种形态，这种形态就称为等离子态即第四态 PECVD ——等离子体定义 地球上，物质有三态，即：固，液，气。 其共同点是由原子或分子组成，即基本单元是原子和分子，且为电中性。 等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态，即第四态。 等离子体从宏观来说也是电中性，但是在局部可以为非电中性。 PECVD工作原理： --- 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在硅片上沉积出所期望的薄膜。 所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体经解离后反应，在硅片上长出氮化硅膜。可以根据改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。 PECVD技术原理 技术原理：是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。 PECVD的特点 PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处： 节省能源，降低成本 提高产能 减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 PECVD的作用 Si3N4膜的作用: - 减少光的反射 良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。 - 防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。 - 低温工艺（有效降低成本） - 优良的表面钝化效果 反应生成的H离子对硅片表面进行钝化 PECVD设备结构 晶片装载区 炉体 特气柜 真空系统 控制系统 PECVD设备结构 硅片装载区： 桨、LIFT、抽风冷却系统、SLS系统 - 桨： 由碳化硅材料制成，具有耐高温、防变形等性能。作 用 是将石墨舟放入或取出石英管。 - LIFT：机械臂系统，使舟在机械臂作用下在小车、桨、储存区之间互相移动。 - 抽风冷却系统：位于晶片装载区上方，初步的冷却石墨舟和一定程度的过滤残余气体 - SLS系统 软着陆系统，控制桨的上下，移动范围在2—3厘米 PECVD设备结构 炉体：石英管、加热系统、冷却系统 石英管：炉体内有四根或三根石英管，是镀膜的作业区域，耐高温、防反 应。 加热系统：位于石英管外，又五个温区。 冷却系统： 是一套封闭的循环水系统，位于加热系统的金属外壳，四进四出并 有一个主管道，可适量调节流量大小。 冷却系统的优点： 没有消耗净室空气 不同管间无热干涉 炉环境的温度没有被热空气所提升 空气运动（通风装置）没有使房间污染 噪音水平低 特气柜： MFC 气动阀 MFC：气体流量计（NH3 SiH4 N2） SiH4 1.8 slm NH3 10.8 slm N2 15 slm 气动阀： 之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易产生火花， 而 气动阀可以最大程度的避免火花。 CMI控制系统： - 是 Centrotherm 研发的一个控制系统，其中界面包括： Jobs 、