红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀.pdfVIP

　第 20 卷第 9 期 半　导　体　学　报 . 20, . 9 V o l N o 　1999 年 9 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Sep. , 1999 红外半导体材料 HgM nTe 的缺陷腐蚀 李宇杰　刘晓华　介万奇 ( 西北工业大学凝固技术国家重点实验室　西安　710072) 摘要　窄禁带、含H g 的 族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大, 蚀坑密度又是缺 陷电学性质研究中重要的相关参数. 本文从腐蚀机理出发, 研究了H gM nT e 的腐蚀工艺, 探索 出一种适合于H gM nT e 的腐蚀液. 从实验结果来看, 该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷, 如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等, 而且腐蚀质量高. 以此为基础, 我们还分析了A CR T 和 B ridgm an 两种方法生长的H gM nT e 晶体中缺陷的形貌特点及分布情况. : 7280, 7280 , 6170, 6170 PACC E J 1　引言 窄禁带、含H g 的 族化合物半导体材料在红外敏感器方面的应用极为成功, 可用 ( ) 于很宽的波长范围, 非本征载流子浓度很低, 迁移率高, 工作温度高 77K , 是高性能的本征 红外探测器材料. ( 但晶体的电性能受缺陷影响很大. 此类晶体中的缺陷主要有: 原生点缺陷 空位、间隙原 ) ( ) 子、反位原子和复合体 , 扩展缺陷 位错、晶界、沉淀相等 以及一些杂质. 尽管人们对缺陷的 物理和电学性质还并不十分了解, 仍然有大量数据表明, 它们大部分都是电活性的. 然而, 样 品参数的不一致, 使缺陷电学性质的直接实验研究十分困难, 只能通过一些相关参数来间接 ( ) 地获得有关数据. 蚀坑密度 EPD , 与位错和沉淀相等有关 就是其中常用的一个相关参数, 样品的腐蚀又是研究蚀坑密度和形成机理的重要方法之一. 本文从腐蚀机理出发, 研究了 H gM nT e 的腐蚀工艺, 探索了一种适合于H gM nT e 的腐蚀液, 利用这种腐蚀液可以得到不 同晶面上的多种蚀坑形貌, 而且背底浅, 蚀坑清晰, 腐蚀过程便于控制, 对 H gM nT e 的缺陷 研究非常适用. 2　择优腐蚀机理 择优腐蚀是一个十分复杂的过程. 一般认为, 晶体表面电化学性质不均匀是导致蚀坑现 ( ) 　 国家自然科学基金资助项目 批准号: 李宇杰　1975 年出生, 西北工业大学博士研究生, 现从事 族红外半导体的缺陷研究 刘晓华　1964 年出生, 南京大学博士后, 现从事铁电体研究 介万奇　西北工业大学教授, 博士生导师 收到,定稿 766 半　导　体　学　报 20 卷 ( ) 象的重要原因. 晶体材料表面有缺陷 如位错、晶界等 露头的地方, 其周围一定区域内存在 由缺陷引起的应力场, 能量较其他地方高. 当遇到