绝缘层上锗材料的制备技术研究选读.docVIP

目录 目录 I 摘要 II Abstract III 1引言 1 1.1研究背景与意义 1 1.1.1集成电路发展的瓶颈及解决方案 1 1.1.2硅锗合金 1 1.1.3 GOI材料的优势与应用前景 2 1.2 绝缘层上锗材料的主要制备技术 3 1.2.1 绝缘层上锗材料的主要制备方法 3 2 GOI材料的基本性质 6 2.1 锗材料 6 2.1.1锗材料的优势 6 2.2 GOI材料的电学性质 6 2.3 GOI材料的光学性质 7 3 GOI材料的制备 9 3.1 Ge浓缩法制备GOI材料的原理 9 3.1.1 SiGe氧化原理 9 3.2 GOI材料的制备过程 10 3.2.1 SOI衬底上生长SiGe材料 10 3.2.2样品的氧化及退火处理 12 4 GOI材料的表征 15 4.1常用的表征手段 15 4.1.1测试SiGe薄膜厚度--椭偏仪 15 4.1.2测试SiGe材料的组分和应变--Raman光谱 15 4.2 氧化过程表征 17 4.2.1 理论分析 17 4.2.2 实验结果 18 4.3 张应变测试结果 20 总结 22 致谢 23 参考文献 24 附录 25  绝缘层上锗材料的制备技术研究摘要绝缘层上锗材料(GOI)是在微电子技术领域中结合SiGe技术和SOI技术这两种先进技术的优势的前沿技术，是国内外微电子技术研究和发展的重点。在高性能器件和高集成度电路有着重要的应用前景。但是,绝缘层上锗材料研究难度大,目前还处于起步阶段。 论文研究了绝缘层上锗材料的基本性质，介绍了锗浓缩法制备绝缘层上锗材料的过程，通过对制备所得的锗材料进行表征，将公式计算所得的理论值与实际实验所得数据进行比对分析。 本文研究发现，实验通过光刻局部氧化和未经光刻直接氧化的方式得到绝缘层上锗材料的张应变值距离1.7%的张应变均还有一定的差距，所以研究绝缘层上锗材料技术的任务任重而道远。 关键词：绝缘层上锗；氧化退火；表征手段 Abstract On the insulating layer of germanium (GOI) is a combination of both silicon technology advantages of advanced technology on the insulating layer and the silicon germanium technology cutting-edge technology in the microelectronics art is the focus of domestic and foreign microelectronic technology research and development. In high-performance devices and integrated circuits has important applications. However, the insulating layer of germanium and difficult to study, is still in its infancy. Dissertation studies the basic properties of the insulating layer of germanium material, introduces the germanium concentrate prepared on the insulating layer of germanium legal process, through the preparation obtained germanium material characterization, the theoretical values calculated income and actual income experimental data than analysis. This study found that the value of tensile strain experiment germanium material on the insulating layer from the 1.7% tensile strain are there is a gap by means of a local oxidation lithography lithography and without direct oxidation, the study on the insulating layer of germanium technology tasks to be done. Keywords: