GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究-微电子学.PDF

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2017-08-12 发布于天津
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GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究-微电子学

第卷第期微电子学 , 46 4 Vol.46 No.4 年月 2016 8 Microelectronics Au.2016 g 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究 , 黄川邓迟 ( , ) 乐山师范学院物理与电子工程学院四川乐山614004 : , 摘要利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法以均匀型和十字型两种不 , ( ) 。同类型的石墨烯纳米带作为沟道研究了石墨烯纳米带场效应管 GNRFET 的负微分电阻效应 : ; 分析了不同类型 GNRFET的端口输运性质均匀型 GNRFET具有良好的输运特性十字型 , 。 GNRFET由于中间的干破坏了原来两边缘的输运路径其传输系数均不超过 1 十字型 , 。 GNRFET的输出特性具有明显的负微分电阻效应且栅电压对此有调控作用从传输谱的角度给 , 出了GNRFET负微分电阻特性的理论解释和栅压调控的能量图为微纳器件负微分电阻效应的研究提供了一定的理论依据。 : ; ; ; ; 关键词石墨烯纳米带场效应管负微分电阻效应输运特性密度泛函理论传输谱中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN386 A 1004-3365201604-0537-05 Stud onNeativeDifferentialResistanceinTransort y g p ProertiesofGNRFET p , HUANGChuan DENGChi ( , , , Insti