利用ni纳米岛模板制备半极性晶面gan纳米柱 fabrication of gan nanocolumns with semipolar plane using ni nano-island masks.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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利用ni纳米岛模板制备半极性晶面gan纳米柱 fabrication of gan nanocolumns with semipolar plane using ni nano-island masks.pdf

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利用ni纳米岛模板制备半极性晶面gan纳米柱 fabrication of gan nanocolumns with semipolar plane using ni nano-island masks

媳撼生验 1．06．001 DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．201 利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱杨国锋1，陈鹏1’2，于治国1，刘斌1，谢自力1 修向前1，韩平‘，赵红1，华雪梅1，张荣1，郑有蚪1 (1．南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室，南京210093； 2．南京大学扬州光电研究院，江苏扬州225009) 摘要：报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板，利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明，金属Ni薄膜在快速热退火 am和70nm的纳米岛状结构。通过电子扫 (RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 描显微镜(SEM)照片看出，以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形，通过控制ICP刻蚀时间，在一定的刻蚀时间内(2min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板，可以有效减小甚至消除极化效应，提高光电子器件的效率和性能。关键词：氮化镓；镍纳米岛模板；电感耦合等离子刻蚀；半极性面；氮化镓纳米柱中图分类号：TN304．23文献标识码：A 文章编号：1003—353X(2011)06—0417—04 with FabricationofGaNNanocolumns Plane SemipolarUsing NiNano-IslandMasks YangGuofen91，ChenZhigu01，LiuBinl，XieZilil， Pen91”，Yu Xiu Youdoul Xiangqianl，HanPin91，ZhaoHon91，HuaXuemeil，ZhangRong‘，Zheng PhotonicandElectronic ElectronicScienceand LaboratoryD，Advanced Materials，Schoolof (I．Key Engineering， N删讽gUniversity．Nanjing 225009。China) noveland methodtofabricateGaNnanocolumnswas Abstract：A simple reported，using withNinano-islandmasks．Atomicforce inductivelycoupledplasma(ICP)etching microscope(AFM) the resultsindicateformationofNinanoislands thermal different throughrapid annealing(RTA)under