磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 defect control and high quality surface preparation of inp substrate.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 defect control and high quality surface preparation of inp substrate.pdf

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磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备 defect control and high quality surface preparation of inp substrate

第卷第期半导体学报 27 12 VOl.27 NO.12 年月 2006 12 CHINESEJOURNAL OF SEMICONDUCTORS Dec. 2006 磷化铟单晶衬底的缺陷控制和高质量表面制备赵有文董志远孙文荣段满龙杨子祥吕旭如中国科学院半导体研究所北京 100083 摘要!分析研究了一些缺陷对 IHP单晶衬底的影响包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响坑状微缺陷晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等对这些缺陷的形成原因和抑制途径进行了分析在此基础上获得了. . 开盒即用具有良好晶格完整性表面无损伤的单晶衬底抛光片 EPI-READY IHP . 关键词!磷化铟缺陷衬底抛光 PACC 6110C 8160 7120 中图分类号! + 文献标识码! 文章编号! # TN304.2 3 A 0253-4177 2006 12-2127-07 -3 4 -2 掺铁半绝缘型电阻率 cm EPD 310 cm 引言 7 4 -2 晶片的直径为 110 cm EPD 5 10 cm . l 和利用我们自己的机械化学抛光工艺对 50 75mm. IHP单晶抛光片作为衬底已广泛用于生长毫米晶片进行单面抛光后有关机械化学抛光技术的方波微电子器件和光纤通信用光电子器件材料 1 2 法原理见参考文献用 . 3 7 0LYMPUS MX40