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磷酸和酒石酸在gsi阻挡层cmp抛光液中的应用 phosphoric acid and tartaric acid applied in gsi barrier layer cmp slurry
半导体先进制造技术
AdvancedSemiconductor
ManufacturingTechnologies
DOI：10．3969／j．issn．1003—353x．2012．03．006
磷酸和酒石酸在GSI阻挡层CMP抛光液中的应用
张晓强，刘玉岭，王辰伟，杨立兵
(河北工业大学微电子研究所，天津300130)
摘要：在阻挡层的化学机械平坦化(CMP)过程中，Cu与阻挡层去除速率的一致性是保证
平坦化的关键问题之一。低k介质材料的引入要求阻挡层在低压力下用弱碱性抛光液进行CMP，
这给抛光液对不同材料的选择性提出了新的挑战。研究了低压2psi，(1psi=6．89kPa)CMP条
件下，磷酸和酒石酸作为阻挡层抛光液pH调节剂对cu和Ta的络合作用。实验结果表明，酒石
酸对cu和Ta有一定的络合作用，能够提高它们的去除速率；磷酸能提高Ta的去除速率，而对
约为58nm／min；同时，磷酸和酒石酸的加入能够有效改善Cu的表面状态。
关键词：化学机械平坦化(CMP)；磷酸；酒石酸；阻挡层；去除速率选择比
中图分类号：TN305．2文献标识码：A
AcidandTartaricAcid inGSI
Phosphoric Applied
BarrierCMP
Layer Slurry
Zhang Yuling，WangChenwei，YangLibing
Xiaoqiang，Liu
(InstituteofMicroelectronics，HebeiUniversityofTechnology，Tianjin300130，China)
the ofchemicalmechanical thebarrier
Abstract：In
process ptanarization(CMP)of
layer，
the ofremovalratesofCuandbarrierisoneofthe
guarantyinguniformity layer keyproblemsconcerning
introductionoflow—kdielectricmaterials barrier CMPwith
planarization．The required layer weakly
alkalineatlowdown andthisraiseda new for onthedifferentmaterials
slurry pressure challengeslurry
of acidand
tartaricacidwerestudiedwhichwereasbarrier
selectivity．Thecomplicationphosphoric layer
slurry on andtantalumatlowdown 2 kPa)，
pHadjustingagentscopper pressurepsi(1psi=6．89
CMP．Theresul
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