面向384×288面阵型红外读出电路的低功耗设计 low power design orienting 384×288 snapshot infrared readout integrated circuits.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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面向384×288面阵型红外读出电路的低功耗设计 low power design orienting 384×288 snapshot infrared readout integrated circuits.pdf

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面向384×288面阵型红外读出电路的低功耗设计 low power design orienting 384×288 snapshot infrared readout integrated circuits

第29卷第1期半导体学报 v01．29No．1 JoURNALOF 2008年1月 SEMICoNDUCTORS Jan．，2008 Power X Low 384288 Infrared DesignOrienting Snapshot Readout Circuits Integrated Liu Zha0 Dan，Lu Wenga0+，ChenZhongjian，JiLijiu，andBaoying of 100871，China) (DepartmentMicroelectronics，PekingUniversity，Beijing Abstract：This alow fora384×288infrared(IR)readout the paperpresentspowerdesign integrated character ofIRdetector(r。≈lOOkn，I。。c≈100nA)，anovel structurecalled buffereddirect pixel quad．share injection andrealized．In shareonebuffered creates (QSBDI)isproposed QSBDI，four neighborpixels amplifier，whichhighinjec- tion stable FPN low ROICalso two modes efficiency，abias，goodperformance，andpowerusage．This supportsintegration thenreadoutand whilereadout)，twoselectable fourwindowreadoutmodes．Atest128 (integration integration gains，and ×128ROICis tested．ThetestresultsshowthattheROIChas to designed．fabricated，and goodlinearity．Thepeakpeak varianceofthesub isabout10mY．Theof is l thetotal is at mW，and 37mW array powerpixelstageonly powerdissipation a of4MHz． frequency workin