抛光工艺对gaas抛光片粗糙度的影响 effect of polishing processes on the roughness of gaas wafers.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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抛光工艺对gaas抛光片粗糙度的影响 effect of polishing processes on the roughness of gaas wafers.pdf

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抛光工艺对gaas抛光片粗糙度的影响 effect of polishing processes on the roughness of gaas wafers

技术专栏 Tc曲Ⅱolo鲥Col珊m doi：10．3969／j．issn．1003-353x．2009．08．00r7 抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响吕菲，王云彪，张伟才，武永超，赵权 (中国电子科技电集团公司第四十六研究所，天津300220) 摘要：研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中si02溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对 GaAs抛光片表面粗糙度的影响，为降低粗糙度而保持一定的抛光速率，应尽量采用多步抛光的方式，逐步降低抛光布的硬度和si02溶胶粒径，抛光液的pH值也要在合适的范围。因臭氧水的清洗工艺不会增加粗糙度，不失为一种控制鼬～s抛光片表面粗糙度的有效方法。关键词：化学机械抛光；粗糙度；抛光速率；抛光雾；清洗工艺；抛光液；臭氧水中图分类号：7IN305．2文献标识码：A of of E仃ect Proce鳃鹤蚰the GaAsWafers Polislling R伽ghness Ln Fei，WangYunbiao，ZhangWeicai，WuYongch∞，zhaoQu锄 (m 46出胍∞m佃m啦，饵粥，姊300220，吼f加) e骶cts0f 0fsilic∞dioxidein 0f Abs缸act：ne diameter polishingpad，tllepalticle 8luny，tllepH onthe of GaAs slurry蛐dcleaningtechniqueroughnesswafe璐we陀investigaled．Tb托dllcethe∞ughness吼d different wer}e thehardne鸥of needed， keepag陀eablepolishing随te，polishingprocesses pDlishingpad锄d the diameterofsilicondioxidein 8houldbereduced the of 8houldbe particle slurry gmdually，粕dpHsluny in noinc陀a跎in keptat印pm胡ate枷ge．Ozone∞luti咖h鼬900dpe面册趴cecleaIlingprocess，leadiIlg the 0fGaA8wafe玛． mughness wordb： Key CMP； Iougllness；polishing豫te；h黜；cleaningtechnique；slurry；o∞ne∞lution EEACC：2550E 观粗糙度和原子尺寸粗糙度，本文主要对微观粗糙 0 引言度进行研究。微观粗糙度主要是描述与表面几个原鼬～s是重要的化合物