平滑陡直的si深槽刻蚀方法 smooth and steep deep silicon etching.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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平滑陡直的si深槽刻蚀方法 smooth and steep deep silicon etching.pdf

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平滑陡直的si深槽刻蚀方法 smooth and steep deep silicon etching

。技术专栏 Column Technology 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法张育胜 (中国科学院徼电子研究所，北京100029) 摘要：Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用，现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点。常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施，但具有侧壁粗糙的缺点。提出了不同于Bosch工艺的新刻蚀方法，采用刻蚀反应和淀积钝化反应同时进行并保持化学平衡的方法，取得了平滑陡直的刻蚀效果。在电感耦合等离子体刻蚀机ICP-98A上的实验结果表明，在直径100nim的光刻胶掩蔽si片上，刻蚀深度为39．2 lIm，侧壁 pm，光刻胶剩余4．8 表面满足平滑陡直的要求。关键词：硅深槽刻蚀；电感耦合等离子体；Bosch工艺；化学平衡中图分类号：TN305．7文献标识码：A Smoothand Silicon SteepDeep Etching ZhangYusheng (Inst／aae 100029，aI讯口) o／肘切斑如曲饥bo／Ch／nezeAcademyo／Sdeaces。Be／ring Si of is infabricationMEMSdevice．Themethodshavetheir Abstract：Deepetchingimportant existing and in and takesthemeasurewithtime- advantagesdisadvantages selectivityanisetropy．Boschtechnique alternationbetween and hasthe of sidewall． multiplexed depositionetching，however，itshortcomingsrough Anewmethoddifferentfrom Bosch forward．Itmakeschemicalbalancebetween and techniquew船put etching reaction andachievessmoothand onICP-98A depositionsimultaneously steepetchingeffect．Experiments etchershowthatSiwaferof100millwith resistshas of39．2 4．8 photo etchingdepth pm panphoto leaving smoothand satisfiesthe sidewall resists，simultaneouslysteep requirements． words：Si