利用NAND闪存来实现手机存储的成本密度和性能优势.PDF

利用 NAND 闪存来实现手机存储的成本、密度和性能优势 作者：Scott Beekman 东芝(美国)电子元器件公司 本文概括了关于可支持多媒体功能的手机存储子系统的最新趋势、替换方案和错 误认识 更高分辨率的相机、音乐、视频和游戏，驱动着对于更高密度的低成本存储方案 的需求。NAND 闪存正是高密度、低成本和快速写数据存储的理想选择。因此， NAND继续以更快的速度在手机领域普及。 在手机领域的以下三个方面，人们使用 NAND 闪存来实现更佳数据存储的情况日 益增长： ·多芯片封装(MCP) 和堆叠封装(POP) ·高密度嵌入式存储 ·手机存储卡插槽 多芯片封装 只能进行通话的基本型手机，采用的是低密度随机存取存储器（RAM）＋NOR 这 样的传统MCP方案。由于新兴市场对于低端手机的需求，这种方案目前仍被广泛 用于低端手机中。但因为 NAND 闪存的密度、成本和写能力优势，多媒体手机都 采用NAND型MCP方案。 这些基于 NAND 的 MCP 方案中，有一种只是简单地给一个基于 NOR 的 MCP 方案增 加 NAND 闪存来存储数据。Pseudo SRAM (PSRAM) + NOR + NAND 就是这样的一个 例子，其代码被由 NOR 直接执行，NAND 用来进行数据存储，而 PSRAM 则用作工 作存储器。 另一个基于NAND的NCP方案则是以DRAM + NAND完全取代NOR（此时DRAM是低 功率SDRAM）。在这种方案中，代码和数据都被存储在NAND闪存中。当手机被开 启时，代码被从 NAND 拷贝到 DRAM，并被执行到 DRAM 之外。这样做增加了额外 的启动时间。而另一方面，这样的方案降低了成本，并实现了简化，而 DRAM 也 能很好地快速执行代码。这种方案不再需要成本高于 NAND 的 NOR。此外，作为 应用最广泛的两种存储技术，NAND闪存和DRAM都有经济规模的优势。因此，DRAM ＋NAND的组合方案是增长最快的NAND式MCP方案。 如下图所示，东芝预测2008年全世界将有超过50％的MCP方案集成NAND闪存， 高于2006年的大约三分之一的比率。而到2011年，DRAM + NAND MCP方案预计 将在NAND型MCP方案中占到三分之二的份额。 图1：NAND MCP方案在手机领域的增长 堆叠封装 堆叠封装（POP）技术实际上是将一个MCP堆叠在一个处理器之上来节省板空间。 这要求顶部的存储器POP必须和底部处理器兼容。MCP的其它替代方案也都可以 应用到POP上，但由于更严格的高度限制，POP可支持的最大存储密度一般要小 于MCP可支持的密度。 高密度嵌入式存储 在当前很多多媒体手机和智能手机中，MCP可支持的存储密度都不够。因此，除 了 MCP，手机中还嵌入了一个单独的高密度 NAND 存储器件。MCP 一般都可支持 512M～4G 的单层单元式（SLC）NAND 密度，而附加的嵌入式存储芯片则支持 1G 到16G的多层单元（MLC）NAND密度 － 这种方案每个单元可存储两个或多个位 数。 对于这些嵌入式存储芯片，市场上有很多种存储器接口，但这些方案都采用了一 个如下图所示的基本概念。该方案中采用了 MLC NAND 晶片，以低成本高效率的 方式在小空间内实现较高密度的存储。此外它还集成了一个控制器，来进行MLC NAND 晶片的误差代码纠正（ECC）、耗损均衡和坏区块管理，为主处理器减轻负 担。 在下图中，虽然该器件采用的是MCL NAND，但其接口是一个标准SLC NAND的接 口，因而简化了设计。 其它流行的嵌入式存储接口，包括高速 MultiMediaCard（HS-MMC）接口，即 SD 接口。该接口已经被广泛使用，用于支持可抽取式SD卡。 高密度存储 MCP 上面这个嵌入式存储的概念，还可以集成在MCP内部来实现一个单芯片的方案， 而不是两个独立的器件，尽管其支持的最大密度比双芯片