去V州VV呐一扣㈡㈣一VP一最岳篙t㈤.PDF

第27卷第4期 北京工业大学学报 vol27№4 2001年12月 JouRNALoF BEI眦PoLYl卫c}Ⅱ哑c㈣ERsITY D睇200l 单晶硅化学气相沉积反应器流场初探 王亲猛1，刘赵淼1，罗木昌2 (1．北京工业大学机械工程与应用电子技术学院，北京100022；2中国科学院半导体研究所，北京100083 摘要：对单晶硅化学气相沉积(cvD)反应器在沉积过程中的流场进行了初步分析．通过数值求解三维层流 Nav-e卜Stokes方程，研究了反应器内浮力效应所引起的流场对称性破坏．结果表明，由于存在浮力效应，轴对称 几何体中也会发生非轴对称流场分布，从而影响单晶硅的均匀生长． 关键词：单晶；化学气相沉积反应器；流场；浮力效应 中囤分类号：o782 文献标识码：A 文章编号：0254—0037(2001)04—0483一03 在大多数化学气相沉积反应器的实际应用中，最重要的是气相沉积膜必须均匀分布在基座表面上． 所以，单晶硅化学气相沉积反应器经常设计成轴对称结构以使得沉积膜沿周向均匀分布，气流从顶部流入 圆柱形的反应器内并在基座上发生沉积“。3，单晶硅在基座上均匀生长．然而，在实际应用中发现，即使 沉积反应器被设计成轴对称结构，得到轴对称几何边界条件和运行条件，仍不能保证流场也是轴对称的． de 称性被破坏的现象．不过，由于反应器内流场的分布对边界条件非常敏感…，deki{ser的实验较难保证 边界条件完全对称，因而其现象还不能确定是气流本身的特性．后来Fot·adis等”o用数值模拟说明非轴 对称流可以发生在完全轴对称的几何结构中，这样就使得对反应器内的流场研究变得更为重要．作者用 数值模拟方法讨论了反应器内浮力效应对流场分布的影响，研究了由浮力效应引起的对称性破坏现象． 1 数值方法 在保证边界条件完全对称的情况下，当人流没有受到任何外干扰时，如果不存在浮力效应，^流在进 入反应器后应该是对称的．显然，非对称流的产生不能由于边界条件引起，这种不对称性很可能是描述反 应器内流体的Navier-so咄es方程的固有特性，轴对称破坏的结果可能就是由浮力效应所引起的． 本文主要考虑的是反应器内的混合对流气流和热传导．假定其中的气流为理想气体，通常可以认为 气流的普朗特常数厅等于O．71．反应器内气流和热传导就由质量守恒、动量守恒和能量守恒方程来描 述．因此可以得到下面3个方程”J： 连续性 aP／af+甲-(pv)=o (1) 动量 掣+v．扣，，)： 去V州V…V呐一扣㈡㈣一VP一最岳篙，t㈤ 能量 勺訾十。V．(P㈣=去VⅢV臼) (3) 收稿日期：2000．12．27． 作者简介：王亲猛(197卜)，男，讲师，博士 万方数据 4H4 2∞】* 日Hm*^“∞』L*##ⅢnT“m月§# t＆#≈ Ⅲmn c 41 iⅡ女W L=0，0】 f5) §$i#m 、 0”(08／an)=0 {6) ^m r z dm0 f 71 口№ ，。0 a0，aⅢ f#1