可制造性和可维护性设计-计算机工程与科学.PDF

维普资讯 CN43一l258／TP 计算机工程与科学 2003年第 25卷第 1期 ISSN lOO7一l30X COMPUTER ENGINEERING ＆ SCIENCE Vo1．25，No．1，2003 文章编号 ：1007．130X(2003)01．0092—06 VLSI芯片的可测试性、可调试性、 可制造性和可维护性设计 VLSIDesignforTestability，Debuggability， Manufaeturability，andServiceability 沈 理 SHEN Li (中国科学院计算技术研究所。北京 100080) (InstituteofComputingTechnology。ChineseAcademyofSciences，Beijing 100080，China) 摘 要：CMOS器件进入深亚微米阶段，VLSI集成电路 (IC)继续 向高集成度、高速度、低功耗发展， 使得 IC在制造、设计 、封装、测试上都面临新的挑战。测试 已从 IC设计流程的后端移至前端，VLSI芯片 可测试性设计 已成为 IC设计 中必不可少的一部分。本文介绍近几年 来 VLSI芯片可测试性设计 的趋 势，提 出广义-．1-~4试性设计 (TDMS技术)概念 ，即可测试性、可调试性、可制造性和可维护性设计 ，并对 可调试性设计方法学和广义可测试性设计的系统化方法作 了简单介绍。 Abstract：CMOSdevicedimensionshavebeendowntothedeep—submicro．VLSLchipsaregoingtowardhigher density，higherspeedandlowerpowerdissipation，makingnew challengeson IC fabrication，design，packaging， andtesting．FortheICtesting，testinghasbeenmovedfrom theenddesing tothefrontone．VLSIdesing fortesta— bility(DFT)hasbecomeaveryimportantpartofICdesign．ThepaperintroducesthetrendofDFTinrecentyears． AconceptofgeneralizedDFT (TDMStechnology)ispresented，thatis，thedesing ofrtestability(DFT)，thedesing ofrdebuggability(DFD)，thedesignofrmanufacturabiliy(DFM)，andthedesignofrserviceability(DFS)．The methodoloyg ofDFD andthesystematicmethodsofgeneralizedDFT aregiven． 关键词 ：超大规模集成 电路 ；芯片设计 ；可测试性设计 Keywords：VLSI；chipdesign；DFT 中图分类号 ：TP302．1 文献标识码：A 槛电压 0．25v、电源 电压 1．2v、延迟 时间 10ps、集 1 引言 成度 1G晶体管 (DRAM 早 已达到 1G)。可以看 出，晶体管尺寸下降导致门槛电压下降，使得电源 CMOS器件一直在缩小尺寸 ～ 。21世纪前 电压下降，从而一方面功耗